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STD17NF03LT4
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTD17NF03LT4
Codice Prodotto
Full Reel4319971
Re-reeling1291958RL
Nastro pretagliato1291958
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| Tipo di imballaggio | Quantità | Prezzo unitario: | Totale |
|---|---|---|---|
| Nastro pretagliato | 5 | € 0,745 | € 3,72 |
| Totale | € 3,72 | ||
Nastro pretagliato & Re-reeling
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 0,745 |
| 50+ | € 0,477 |
| 100+ | € 0,333 |
| 500+ | € 0,263 |
| 1000+ | € 0,237 |
Full Reel
| Quantità | |
|---|---|
| 2500+ | € 0,208 |
| 7500+ | € 0,204 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTD17NF03LT4
Codice Prodotto
Full Reel4319971
Re-reeling1291958RL
Nastro pretagliato1291958
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id17A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.05ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)16V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.5V
Dissipazione di potenza30W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Panoramica del prodotto
The STD17NF03LT4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- Exceptional dV/dt capability
- Low gate charge at 100°C
- Application oriented characterization
- 100% Avalanche tested
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
17A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
16V
Dissipazione di potenza
30W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.05ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002041
Tracciabilità del prodotto