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RF3L05150CB4
Transistore RF FET, 90 V, 150 W, 1 GHz, LBB
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ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreRF3L05150CB4
Codice Prodotto3677411
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreRF3L05150CB4
Codice Prodotto3677411
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds90V
Corrente Continua di Drain Id-
Dissipazione di potenza150W
Frequenza Operativa Min-
Frequenza Operativa Max1GHz
Stile di Case del TransistorLBB
Numero di pin5Pin
Temperatura di esercizio max200°C
Tipo di canalecanale N
Montaggio Transistoreflangia
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
90V
Dissipazione di potenza
150W
Frequenza Operativa Max
1GHz
Numero di pin
5Pin
Tipo di canale
canale N
Gamma di prodotti
-
Corrente Continua di Drain Id
-
Frequenza Operativa Min
-
Stile di Case del Transistor
LBB
Temperatura di esercizio max
200°C
Montaggio Transistore
flangia
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.009072