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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttore4N35M
Codice Prodotto1021351
Datasheet tecnico
Numero di canali1 canale
Stile Involucro Accoppiatore OtticoDIP
Numero di pin6Pin
Corrente Diretta If Max60mA
Tensione di isolamento7.5kV
CTR Min.100%
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo30V
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The 4N35-M is a through hole general purpose phototransistor optocoupler in 6 pin DIP package. This optocoupler consist of gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon photo transistor. The device is mostly suitable for power supply regulators, digital logic inputs and microprocessor inputs.
- Minimum current transfer ratio of 100% at IF=10A, Vce=10V
- Isolation voltage of 4.17KVAC
- Forward current (If) of 60mA
- Single channel
- UL 1577 and DIN-EN IEC60747-5-5 approved
- Operating temperature range from -40°C to 100°C
Specifiche tecniche
Numero di canali
1 canale
Numero di pin
6Pin
Tensione di isolamento
7.5kV
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
30V
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Stile Involucro Accoppiatore Ottico
DIP
Corrente Diretta If Max
60mA
CTR Min.
100%
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000943
Tracciabilità del prodotto