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SI4162DY-T1-GE3..
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 19.3 A, 0.0065 ohm, SOIC, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI4162DY-T1-GE3..
Codice Prodotto1840421
Gamma ProdottiCompute Module 3+ Series
Datasheet tecnico
Tolto dall'assortimento
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI4162DY-T1-GE3..
Codice Prodotto1840421
Gamma ProdottiCompute Module 3+ Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id19.3A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0065ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1V
Dissipazione di potenza2.5W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCompute Module 3+ Series
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Alternative per SI4162DY-T1-GE3..
3 prodotti trovati
Panoramica del prodotto
The SI4162DY-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC conversion applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applicazioni
ambito industriale, gestione potenza elettrica
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
19.3A
Stile di Case del Transistor
SOIC
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
2.5W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0065ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
Compute Module 3+ Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000234