IRF9Z24NPBF
MOSFET di potenza, canale P, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 0,555 |
| 10+ | € 0,549 |
| 100+ | € 0,409 |
| 500+ | € 0,334 |
| 1000+ | € 0,307 |
| 5000+ | € 0,276 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
IRF9Z24NPBF è un MOSFET di potenza HEXFET® a singolo canale P di -55V. L'HEXFET di 5° generazione utilizza tecniche di elaborazione avanzate per raggiungere una resistenza in stato ON estremamente bassa per area di silicio. Queste proprietà, unite alla grande velocità di commutazione e al design rinforzato del dispositivo che caratterizza il MOSFET di potenza HEXFET, rendono lo strumento estremamente efficiente e affidabile da utilizzare in una vasta serie di applicazioni. Il package è preferito in tutto il mondo per tutte le applicazioni commerciali-industriali a livelli di dissipazione di potenza di circa 50W.
- Tecnologia di elaborazione avanzata
- Rapporto dV/dt dinamico
- La modalità a valanga è alla massima capacità nominale
- Temperatura di esercizio: 175°C
Specifiche tecniche
canale P
12A
TO-220AB
10V
45W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
55V
0.175ohm
foro passante (THT)
4V
3Pin
-
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto