MOSFET di potenza per un supporto eccezionale
nelle prestazioni del sistema
In materia di energia verde, controllo industriale, alimentazione elettrica e apparecchi a batteria di consumo
Gamma di MOSFET Toshiba per soddisfare la crescente domanda nei principali mercati globali
È un dato di fatto che il mercato globale dei semiconduttori di potenza è in rapida crescita. La domanda di semiconduttori di potenza nelle applicazioni automobilistiche ha fatto notizia in tutto il mondo, ma ci sono numerose altre applicazioni in cui la domanda è in rapida crescita.
Il cuore della maggior parte di queste applicazioni è il MOSFET di potenza. Queste applicazioni includono l'energia verde, in particolare gli inverter solari e le pompe di calore, il controllo industriale e l'alimentazione elettrica. Le applicazioni per i consumatori includono elettrodomestici come gli utensili manuali per il fai da te e gli attrezzi per il giardinaggio, che stanno diventando cordless, alimentati a batteria e ricaricabili per essere più comodi. Le prestazioni di questi MOSFET di potenza sono fondamentali per le prestazioni complessive del sistema e molto spesso sono il punto di partenza di un nuovo sviluppo.
Video
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Prodotti in primo piano
Nuovo MOSFET a canale N da 100 V per supportare la miniaturizzazione nelle applicazioni di alimentazione
Basato sul processo U-MOS-X, il dispositivo offre una migliore resistenza all'accensione e un'area operativa
Toshiba ha lanciato un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 100 V basato sul processo U-MOSX-H di ultima generazione. Il nuovo dispositivo è ideale per le applicazioni più complesse, come gli alimentatori switching per data center e le stazioni base di comunicazione, oltre a molti altri usi industriali.
Progettato per un funzionamento efficiente, il nuovo TPH3R10AQM raggiunge un valore di soli 3,1 mΩ (max) per l'importantissima resistenza di drain-source (RDS(ON)). Questo rappresenta un significativo miglioramento del 16% rispetto all'attuale prodotto Toshiba da 100 V (TPH3R70APL) che utilizza il processo di generazione consolidato.
Acquista oraScheda tecnicaComunicato stampaSerie di MOSFET di potenza a canale N a giunzione super a 600 V con RDS(on)bassissimo
Basato sul processo U-MOS-X, il dispositivo offre una migliore resistenza all'accensione e un'area operativa
Toshiba ha introdotto una nuova serie di MOSFET di potenza a canale N. Il primo prodotto della serie DTMOSVI a 600V è il TK055U60Z1, basato sul processo di ultima generazione di Toshiba con una struttura a supergiunzione.
Il nuovo MOSFET presenta una RDS(on) di soli 55 mΩ, un miglioramento del 13% rispetto all’ormai consolidata serie DTMOSIV-H dell’azienda. Inoltre, la RDS(on) xQgd, che è la cifra di merito per le prestazioni del MOSFET, è migliorata di circa il 52%. Le applicazioni target includono alimentatori switching ad alta efficienza nei data center, condizionatori di potenza per generatori fotovoltaici e sistemi di continuità.
Acquista oraScheda tecnicaVisualizza la serie di prodotti Comunicato stampaI nuovi MOSFET di potenza a canale N sfruttano le avanzate capacità di dissipazione del calore per supportare correnti automobilistiche più elevate
I dispositivi da 40 V offrono capacità di corrente elevate e valori di resistenza di accensione inferiori in pacchetti L-TOGLTM termicamente migliorati
Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanciato due nuovi MOSFET di potenza a canale N da 40 V di tipo automobilistico che avranno un impatto reale sui progetti dei veicoli di prossima generazione. I modelli XPQR3004PB e XPQ1R004PB utilizzano il rivoluzionario formato di package con conduttori ad ala di gabbiano a grande profilo del transistor, denominatoL-TOGLTM.
Ancor prima di entrare in produzione in serie, l'XPQR3004PB è riuscito a vincere la categoria Power Semiconductor/Driver of 2022 ai recenti World Electronics Achievement Awards (WEAA) organizzati da AspenCore.
Grazie ai loro pacchetti L-TOGL e alle migliori caratteristiche di dissipazione del calore che ne derivano, i nuovi MOSFET Toshiba sono altamente ottimizzati per la gestione di correnti elevate.
Acquista oraScheda tecnicaVisualizza la serie di prodotti Comunicato stampaNuovo MOSFET U-MOS X-H ad alte prestazioni da 150 V
Il miglioramento del recupero inverso riduce significativamente le perdite di raddrizzamento sincrono
Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanciato un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 150 V basato sul processo U-MOS X-H Trench di ultima generazione. Il nuovo dispositivo (TPH9R00CQ5) è stato progettato specificamente per l'utilizzo in alimentatori switching ad alte prestazioni, come quelli utilizzati nelle stazioni base di comunicazione e in altre applicazioni industriali. Con un valore massimo di VDSS di 150 V e una gestione della corrente (ID) di 64 A, il nuovo dispositivo vanta una bassissima resistenza di drain-source (RDS(ON))
Nelle soluzioni di potenza ad alte prestazioni che utilizzano il raddrizzamento sincrono, le prestazioni di recupero inverso sono molto importanti. Grazie all'inclusione di un diodo di corpo ad alta velocità, il nuovo TPH9R00CQ5 riduce la carica di recupero inversa (Qrr) di circa il 74% (a 34nC tipici) rispetto a un dispositivo esistente come il TPH9R00CQH. Inoltre, il tempo di recupero inverso (trr) di soli 40ns rappresenta un miglioramento di oltre il 40% rispetto ai dispositivi precedenti.
Acquista oraScheda tecnicaComunicato stampaToshiba amplia ulteriormente la gamma di MOSFET a supergiunzione con altri quattro dispositivi a 650 V
Il miglioramento delle prestazioni e la riduzione delle perdite aumenteranno l'efficienza dell'alimentazione
Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha aggiunto altri quattro dispositivi MOSFET di potenza a supergiunzione a 650 V a canale N per ampliare la serie DTMOSVI. I nuovi dispositivi si basano sul successo di mercato dei dispositivi attuali e saranno utilizzati principalmente in applicazioni come l'alimentazione industriale e per l'illuminazione e in altre applicazioni in cui è richiesta la massima efficienza con un fattore di forma ridotto.
I nuovi MOSFET TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z e TK190E65Z ottengono una riduzione del 40% della figura di merito (FoM) della resistenza di on-resistenza drain-source (RDSON) x carica gate-drain (Qgd) rispetto alla precedente generazione DTMOS. Ciò si tradurrà in una sostanziale riduzione delle perdite di commutazione rispetto ai dispositivi precedenti. Di conseguenza, i progetti che incorporano i nuovi dispositivi vedranno un aumento dell'efficienza. Il miglioramento delle prestazioni si applicherà ai nuovi progetti e agli aggiornamenti di quelli esistenti.
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