Potenzia le applicazioni di alimentazione
Ampia gamma di prodotti elettrici e nuovi prodotti leader del settore
Nexperia è un'azienda leader nel settore dei semiconduttori, rinomata per la qualità e l'affidabilità in ambito di componenti discreti, alimentazione e circuiti integrati (CI) logici. Impegnata nell'innovazione, Nexperia sta espandendo rapidamente il suo portafoglio, in particolare per quanto riguarda MOSFET di potenza, semiconduttori ad ampio bandgap, IGBT e circuiti integrati di gestione energetica e dispositivi analogici. Ogni anno, l'azienda aggiunge oltre 800 nuovi modelli. Solo nel 2024, ha lanciato oltre 70 nuove parti per gestione energetica e dispositivi analogici.
L'investimento significativo di Nexperia nella produzione, come i 200 milioni di dollari investiti nelle tecnologie SiC e GaN presso lo stabilimento di Amburgo, sottolinea l'impegno a migliorare le capacità produttive e soddisfare le esigenze future. Con sede nei Paesi Bassi, Nexperia vanta una ricca storia in Europa che dura da oltre 60 anni. Con oltre 12.500 dipendenti in Europa, Asia e Stati Uniti e oltre 100 miliardi di prodotti spediti ogni anno, Nexperia ha una forte presenza globale, garantendo un supporto e una gestione della catena di fornitura affidabili.
Prodotti in evidenza
MOSFET di potenza
MOSFET di potenza di livello industriale, MOSFET di potenza qualificati per il settore automotive, MOSFET a piccolo segnale e MOSFET specifici per applicazioni da 20 V a 100 V. Prestazioni di commutazione e robustezza eccellenti in contenitori Copper-Clip Package (LFPAK, CCPAK) e Micro Lead Package (MLPAK)
IGBT
Gli IGBT da 650 V in serie H (alta velocità) e serie M (azionamento motore) offrono affidabilità e robustezza elevate e una maggiore densità di potenza dell'inverter per applicazioni industriali con tensione media e alta
Diodi SiC
Offrono spegnimento capacitivo indipendente dalla temperatura e commutazione a recupero nullo, oltre a una cifra di merito (Qc x VF) eccezionale. Il diodo Schottky Merged PiN migliora la robustezza espressa in un valore IFSM elevato.
MOSFET SiC
Stabilità RDSon rispetto alla temperatura eccezionale, alta velocità di commutazione e robustezza elevata in caso di cortocircuito per applicazioni industriali ad alta potenza e alta tensione.
GaN FET e-mode/cascode
FET GaN e-mode a bassa tensione, FET GaN e-mode da 650 V, FET GaN bidirezionali e FET GaN cascode da 650 V. Per una maggiore densità di potenza grazie a perdite di conduzione e commutazione ridotte in applicazioni di conversione a bassa o alta potenza.
Gestione energetica
Efficienza e robustezza del sistema grazie a un portafoglio in rapida crescita composto da CI controllore AC/DC, CI driver LED, convertitori AC/DC, fusibili elettronici, gate driver, LDO, interruttori di carico e altri ancora.
Isolamento
Gli isolatori digitali e i driver per trasformatori sono necessari per garantire il funzionamento sicuro dell'isolamento delle comunicazioni digitali e degli alimentatori in applicazioni ad alta tensione.
Raddrizzatori di potenza
Densità di potenza e tempi di recupero inverso ridotti al minimo per una commutazione efficiente. Alloggiati in contenitore CFP (Clip-bonded Flat Package) con connessione a clip di rame per uso automotive per un ingombro ridotto.
Applicazioni / Mercati
Potenza ed energia
Mobilità
Automazione e produzione
