
FET GaN 650 V - dall’invenzione all’industrializzazione
Panoramica
Farnell in collaborazione con Nexperia, l’esperto in componenti MOSFET e discreti e in IC analogici e logici, presenta il GaN FET con prestazioni leader del settore.
L’uso efficiente dell’alimentazione è una sfida chiave del settore e una spinta all’innovazione. La pressione della società e delle leggi richiedono efficienze sempre maggiori nella conversione e nel controllo della potenza. Per alcune applicazioni, l’efficienza di conversione di potenza e la densità di potenza sono fondamentali per l'adozione del mercato. I principali esempi comprendono la tendenza verso l’elettrificazione del settore automotive e le comunicazioni ad alta tensione, oltre ai settori delle infrastrutture industriali. I GaN FET consentono sistemi più piccoli, veloci, raffreddati e leggeri, con un costo complessivo inferiore.
Alimentazione delle infrastrutture IoT
Per fornirci la connettività cloud sempre attiva, la potenza di elaborazione e memorizzazione di cui abbiamo bisogno, è necessaria un’alimentazione consistente. Sono necessari alimentatori di alta gamma, molto efficienti, per fornire una riduzione delle perdite di potenza nell’automazione industriale, nei data center e nelle infrastrutture di telecomunicazione. Ecco perché la conversione di potenza efficiente e a densità migliorata offerta da GaN-on-Si è basilare.
Elettrificazione del gruppo motopropulsore
Dato che nelle auto odierne ogni grammo di CO₂ emessa ha un’importanza vitale, il passaggio all'elettrificazione dei veicoli sta proseguendo rapidamente. Dai veicoli ibridi a quelli completamente elettrici, si prevede che l’elettrificazione del gruppo motopropulsore dominerà il mercato crescente dei semiconduttori di potenza nei prossimi due decenni. La densità di potenza e l'efficienza di GaN-on-Si giocherà un ruolo fondamentale in questo spazio, soprattutto per i caricatori di bordo (carica EV), i convertitori CC-CC e gli invertitori di trazione del motore (invertitori di trazione xEV).
Prodotti
Gli attuali prodotti GAN FET di Nexperia e i progetti di sviluppo si concentrano sulla fornitura di prodotti affidabili a supporto sia delle applicazioni automobilistiche, sia di quelle per le infrastrutture IoT. La tecnologia del processo GaN si basa sui nostri solidi e comprovati processi di produzione, che ora generano i GaN FET di potenza leader del settore.
Caratteristiche e vantaggi:
- Gate drive facile, basso RDS(on), rapida commutazione
- Eccellente diodo del corpo (basso Vf), basso Qrr
- Elevata robustezza
- Bassa RDS(on) dinamica
- Commutazione stabile
- Robusta immunità al bounce del gate (Vth ~ 4 V)
| GAN063-650WSA | GGAN041-650WSB | |
|---|---|---|
| VDS | 650 V | 650V |
| RDS(on) Max | 60 mΩ | 41 mΩ |
| Pacchetto | TO-247 (SOT429) | TO-247 (SOT429) |
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Sviluppando per il futuro
Nexperia rimane concentrata sullo sviluppo di GaN FET di potenza di altissima qualità e affidabilità, con sviluppi continui in:
- Qualificazione automotive
- a partire da 900 V
- Soluzioni pacchetto half bridge
- Imballaggio con giunti a clip
- Bare die
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Manuale applicativo MOSFET e GaN FET

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