Panoramica

Farnell in collaborazione con Nexperia, l’esperto in componenti MOSFET e discreti e in IC analogici e logici, presenta il GaN FET con prestazioni leader del settore.

L’uso efficiente dell’alimentazione è una sfida chiave del settore e una spinta all’innovazione. La pressione della società e delle leggi richiedono efficienze sempre maggiori nella conversione e nel controllo della potenza. Per alcune applicazioni, l’efficienza di conversione di potenza e la densità di potenza sono fondamentali per l'adozione del mercato. I principali esempi comprendono la tendenza verso l’elettrificazione del settore automotive e le comunicazioni ad alta tensione, oltre ai settori delle infrastrutture industriali. I GaN FET consentono sistemi più piccoli, veloci, raffreddati e leggeri, con un costo complessivo inferiore.

Alimentazione delle infrastrutture IoT

Per fornirci la connettività cloud sempre attiva, la potenza di elaborazione e memorizzazione di cui abbiamo bisogno, è necessaria un’alimentazione consistente. Sono necessari alimentatori di alta gamma, molto efficienti, per fornire una riduzione delle perdite di potenza nell’automazione industriale, nei data center e nelle infrastrutture di telecomunicazione. Ecco perché la conversione di potenza efficiente e a densità migliorata offerta da GaN-on-Si è basilare.

Elettrificazione del gruppo motopropulsore

Dato che nelle auto odierne ogni grammo di CO₂ emessa ha un’importanza vitale, il passaggio all'elettrificazione dei veicoli sta proseguendo rapidamente. Dai veicoli ibridi a quelli completamente elettrici, si prevede che l’elettrificazione del gruppo motopropulsore dominerà il mercato crescente dei semiconduttori di potenza nei prossimi due decenni. La densità di potenza e l'efficienza di GaN-on-Si giocherà un ruolo fondamentale in questo spazio, soprattutto per i caricatori di bordo (carica EV), i convertitori CC-CC e gli invertitori di trazione del motore (invertitori di trazione xEV).


Prodotti

Gli attuali prodotti GAN FET di Nexperia e i progetti di sviluppo si concentrano sulla fornitura di prodotti affidabili a supporto sia delle applicazioni automobilistiche, sia di quelle per le infrastrutture IoT. La tecnologia del processo GaN si basa sui nostri solidi e comprovati processi di produzione, che ora generano i GaN FET di potenza leader del settore.

Caratteristiche e vantaggi:

  • Gate drive facile, basso RDS(on), rapida commutazione
  • Eccellente diodo del corpo (basso Vf), basso Qrr
  • Elevata robustezza
  • Bassa RDS(on) dinamica
  • Commutazione stabile
  • Robusta immunità al bounce del gate (Vth ~ 4 V)

GAN063-650WSA GGAN041-650WSB
VDS650 V650V
RDS(on) Max60 mΩ41 mΩ
PacchettoTO-247 (SOT429)TO-247 (SOT429)
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In arrivo
nexperia-gan-fet

Sviluppando per il futuro

Nexperia rimane concentrata sullo sviluppo di GaN FET di potenza di altissima qualità e affidabilità, con sviluppi continui in:

  • Qualifica automotive
  • 900 V e oltre
  • Soluzioni pacchetto half bridge
  • Imballaggio con giunti a clip
  • Bare die

Scopri di più

Webinar element14

webinar element14: Progettazione di alimentatori industriali robusti e ad alta efficienza con i GaN FET Nexperia


Partecipa al webinar GRATUITO e impara di più su:

  • Le caratteristiche della tecnologia cascode di Nexperia
  • I vantaggi delle topologie hard e soft switching
  • Case study: PFC Totem Pole da 4 kW
  • Prodotti GaN e innovazioni in arrivo da Nexperia

Data/Ora: 16 settembre 2020 14:00 PM EST (Europa/Dublino)

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Ilian_bonov
Presenter: Ilian Bonov,
Product Marketing Engineer - Power GaN, Nexperia.