CoolSiC™ per un'efficienza energetica di livello superiore
L’ideale per un'ampia varietà di applicazioni
Infineon Technologies - Prodotti CoolSiC Affidabilità, varietà e vantaggi di sistema ineguagliabili. Tecnologia SiC da Infineon!
In qualità di fornitore leader di sistemi di alimentazione con > 20 anni di esperienza nello sviluppo della tecnologia in carburo di silicio (SiC), Infineon è pronta a rispondere alle esigenze legate a una generazione, trasmissione e consumo di energia più intelligenti ed efficienti. I loro esperti sanno cosa è necessario per diminuire la complessità del sistema, con conseguente riduzione dei costi e delle dimensioni nei sistemi di media e alta potenza.
Grazie all’ampio portafoglio di prodotti Infineon, conformi ai più elevati standard di qualità, si garantiscono affidabilità e una lunga vita utile del sistema. Infineon possiede l'intera catena di fornitura e offre un supporto di progettazione imparziale per Si, GaN e SiC. Rivolgiti a Infineon, il fornitore di fiducia di SiC, e diventa parte di una rivoluzione su cui contare, indipendentemente dal tuo progetto individuale e dai requisiti del sistema.
Oltre 20 anni di esperienza sul campo ci rendono un partner affidabile
Fai clic qui per ingrandire l’immagineModuli MOSFET al carburo di silicio CoolSiC™
La gamma Infineon di moduli di potenza MOSFET CoolSiC™ offre ai progettisti di inverter nuove opportunità per raggiungere livelli di efficienza e densità di potenza mai visti prima. Sfruttando la potenza dei semiconduttori al carburo di silicio (SiC), i nostri moduli consentono temperature d'esercizio e frequenze di commutazione più elevate, migliorando notevolmente l'efficienza complessiva del sistema.
I nostri moduli di potenza al carburo di silicio CoolSiC™ sono progettati per soddisfare le diverse esigenze di numerose applicazioni. Con una gamma di topologie da 52,9 mOhm a 1,44 mOhm RDS, puoi scegliere il modulo perfetto per soddisfare le tue esigenze specifiche. Che tu abbia bisogno di una configurazione a 3 livelli, half-bridge, fourpack, sixpack o booster, i nostri moduli MOSFET SiC da 1200 V e 2000 V sono la soluzione che fa per te.
La progettazione trench all'avanguardia garantisce una maggiore affidabilità dell'ossido di gate, mentre le nostre migliori soluzioni per perdite di conduzione e commutazione stabiliscono un nuovo standard in termini di prestazioni. Inoltre, con l'opzione di preapplicazione del materiale di interfaccia termica (TIM) e con funzioni aggiuntive come la ceramica in nitruro di alluminio (AIN) ad alte prestazioni, i nostri moduli di potenza MOSFET CoolSiC™ da 62 mm, EasyPACK™ e EasyDUAL™portano le prestazioni di resistenza termica RthJH al livello successivo.
Potenziamento della prossima generazione di sistemi ad alte prestazioni
Scopri come il nuovo trench MOSFET CoolSiC™ MOSFET G2 consente un nuovo livello di prestazioni SiC, soddisfacendo al contempo i più elevati standard qualitativi in tutte le più comuni combinazioni di schemi di alimentazione: AC-DC, DC-DC e DC-AC. Gli inverter fotovoltaici, i sistemi di accumulo dell'energia, la ricarica dei veicoli elettrici, gli alimentatori, gli azionamenti dei motori sono solo alcuni dei molti casi in cui i MOSFET SiC forniscono prestazioni aggiuntive rispetto alle alternative SiC.
Caratteristiche:
- CoolSiC MOSFET G2 400 V / 650 V / 1200 V
- Il più basso RDS(on) disponibile
- La più ampia gamma di prodotti
- Caratteristiche di robustezza esclusive
Inserisci CoolSiC™ nella tua applicazione
CoolSiC - Storie di successo dei clienti
Tecnologia Cold Split
CoolSiC - tecnologia di trincea - una rivoluzione su cui fare affidamento
CoolSiC - La soluzione perfetta per servoazionamenti
MOSFET CoolSiC in un'applicazione di servoazionamento
Microapprendimento: MOSFET CoolSiC in un'applicazione di ricarica EV
Prodotti in primo piano
Modulo MOSFET SIC EasyDUAL™ 1B e 2B
Modulo MOSFET SiC Easy 3B
Modulo MOSFET SiC EconoDUAL™ 3
Categorie di prodotti CoolSiC di Infineon: trova i prodotti più adatti a te
Infineon aggiunge continuamente prodotti basati su SiC - tra cui la rivoluzionaria MOSFET CoolSiC™ in tecnologia trench - all'assortimento Si già esistente. Oggi l’azienda offre uno dei portafogli di potenza più completi del settore, dai dispositivi a potenza ultra bassa fino a quelli ad alta tensione. Per andare ancora oltre, assicurando l’affidabilità delle soluzioni migliori, abbiamo oltrepassato i nostri limiti per ottimizzare l’offerta di prodotti basati su SiC per rispondere a specifici requisiti applicativi. In risposta al fatto che i transistor di potenza a commutazione ultraveloce, come i MOSFET CoolSiC™, possono essere gestiti più facilmente utilizzando sezioni di uscita a gate isolato, i nostri clienti ricevono i circuiti integrati gate-driver EiceDRIVER™, perfettamente isolati galvanicamente, basati sulla nostra tecnologia di trasformatori coreless. La produzione di diversi milioni di moduli ibridi (una combinazione di un commutatore veloce a base di silicio con un diodo Shottky CoolSiC™) negli ultimi anni ha permesso di accumulare livelli straordinari di know-how e capacità, contribuendo ulteriormente alla nostra leadership tecnologica.
CoolSiC™ MOSFETs - MODULES
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 FS55MR12W1M1H_B11 | Sixpack 1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy Module | AG-EASY1B |
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 FS33MR12W1M1H_B11 | CoolSiC™ MOSFET sixpack module 1200 V | AG-EASY1B |
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 F3L11MR12W2M1HP_B19 | CoolSiC™ MOSFET 3-level module 1200 V | AG-EASY2B |
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 FF2MR12W3M1H_B11 | Half-bridge 1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy Module | AG-EASY3B |
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 F4-11MR12W2M1HP_B76 | CoolSiC™ MOSFET fourpack module 1200 V | AG-EASY2B |
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 FF1MR12KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 1200 V | AG-62MMHB |
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 FF2MR12KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 1200 V | AG-62MMHB | |
 FF6MR12KM1H | Half-bridge 1200 V CoolSiC™ MOSFET Module | AG-62MMHB | |
 FF3MR20KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 2000 V | AG-62MMHB |
|
 FF4MR20KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 2000 V | AG-62MMHB |
CoolSiC™ MOSFETs – DISCRETES
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 IMT65R022M1H | CoolSiC™ 650 V, 27 mΩ SiC-based trench MOSFET | PG-HSOF-8 |
|
 IMT65R030M1H | CoolSiC™ MOSFET discrete 650 V in TOLL package | PG-HSOF-8 | |
 IMT65R057M1H | CoolSiC™ MOSFET discrete 650 V in TOLL package | PG-HSOF-8 | |
 AIMBG75R016M1HXTMA1 | The CoolSiC™ MOSFET 750 V is a highly robust SiC MOSFET for the best system performance and reliability. | PG-TO263-7 |
|
 AIMDQ75R016M1HXUMA1 | The CoolSiC™ MOSFET 750 V is a highly robust SiC MOSFET for the best system performance and reliability. | PG-HDSOP-22 | |
 IMZ120R060M1H | CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package | PG-TO247-4 |
|
 IMBG120R053M2H | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | PG-TO-263-7 |
|
 IMYH200R024M1H | CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET | PG-TO-247PLUS-4-HCC |
|
 IMW120R030M1H | CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET | PG-TO247-3 |
|
 IMBF170R1K0M1 | CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET | PG-TO-263-7 |
|
EiceDRIVER™ SiC MOSFET Gate Driver ICs
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 1ED3321MC12N | 2300 V single-channel isolated gate driver with short-circuit protection, active Miller clamp and soft-off, UL 1577 & VDE 0884-11 certified | PG-DSO-16 |
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 1ED3142MU12F | 6.5 A, 3 kV (rms) single-channel isolated gate driver with separate output, UL 1577 certified, 13.6 V UVLO | PG-DSO-8 |
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 1ED3125MU12F | 10 A, 3.0 kV (rms) single-channel isolated gate driver with active Miller clamp, UL 1577 certified, 10.5 V UVLO | PG-DSO-8 | |
 2EDS9265H | Fast, robust, dual-channel, reinforced isolated MOSFET gate driver with accurate and stable timing | PG-DSO-16 |
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 2EDF9275F | Fast, robust, dual-channel, functional isolated MOSFET gate driver with accurate and stable timing | PG-DSO-16 |
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CoolSiC™ MOSFET – DISCRETE
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 AIKBE50N65RF5ATMA1 | Automotive Silicon-carbide (SiC) Hybrid Discrete 650 V in D2PAK-7L | PG-TO263-7 |
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 AIMBG120R040M1XTMA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in D2PAK-7L, 40mΩ | PG-TO263-7 |
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 AIMBG120R080M1XTMA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in D2PAK-7L, 80mΩ | PG-TO263-7 |
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 AIMZH120R010M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 8.7mΩ | PG-TO247-4 |
|
 AIMZH120R020M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 20mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R030M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 30mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R040M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 40mΩ | PG-TO247-4 |
|
 AIMZH120R060M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 60mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R080M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 80mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R120M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 120mΩ | PG-TO247-4 |
|
 AIMZH120R160M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 160mΩ | PG-TO247-4 |
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 FS05MR12A6MA1BBPSA1 | This HybridPACK™ Drive is a very compact six-pack module (1200V/200A) optimized for hybrid and electric vehicles. | AG-HDG1-3211 |
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 FS03MR12A6MA1BBPSA1 | This HybridPACK™ Drive is a very compact six-pack module (1200V/400A) optimized for hybrid and electric vehicles. | AG-HDG1-3211 |
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 FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | EasyPACK™ CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200V Half Bridge Module | AG-EASY1BA-3211 |
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| Part number | Description | Target applications | Key features and benefits |
|---|---|---|---|
 Mother board: EVAL_PS_SIC_DP_MAIN | EVAL_PS_SIC_DP_MAIN CoolSiC™ MOSFET 1200 V in TO-247 3-/4-pin evaluation platform (mother board) User Guide | Solutions for solar energy systems, EV charging, UPS, power supplies, motor control and drives | Features:
Benefits:
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 Daughter board: REF_PS_SIC_DP1 | REF_PS_SIC_DP1 Miller clamp function board for EVAL_PS_SIC_DP_MAIN (daughter board / drive card) | ||
 Daughter board: REF_PS_SIC_DP2 | REF_PS_SIC_DP2 Bipolar supply function board for EVAL_PS_SIC_DP_MAIN (daughter board / drive card) | ||
 EVAL-COOLSIC-2KVHCC | Evaluation Board as adaptable double pulse tester for 2000 V discrete CoolSiC™ MOSFETs in TO-247-4-PLUS-HCC package with compact single channel isolated gate driver EiceDRIVER™ 1ED3124MU12H1200 | Industrial | Features:
Benefits:
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 EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC | 3300 W CCM bidirectional totem-pole PFC unit using CoolSiC™ 650 V, 600 V CoolMOS™ C7, and digital control via XMC™ microcontroller | High-end server, datacenter, telecom | Features:
Benefits:
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Podcast4Engineers di Infineon
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Non è più solo un'innovazione per la prossima generazione di semiconduttori di potenza: il carburo di silicio (SiC) è qui. Eva ci spiega in che modo il SiC abbia già trasformato molte applicazioni, come la ricarica dei veicoli elettrici e il fotovoltaico, e quali sono gli aspetti che i progettisti dovrebbero considerare quando passano al SiC.
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Nella botte piccola c’è il vino buono, soprattutto se si tratta di carburo di silicio! In questo episodio, i nostri esperti Edward e Giuseppe parlano delle diverse opzioni di pacchetti discreti per SiC e di ciò che possiamo aspettarci in futuro.
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Da un grande potere derivano grandi responsabilità... o forse solo grandi progetti! Il nostro esperto Ainhoa ci parla di come il SiC nei moduli di potenza si è evoluto nel corso degli anni e di quali considerazioni sono importanti quando si sceglie un modulo per il proprio progetto di elettronica di potenza.
Documenti
White paper
Realizzare il futuro della carica EV rapida attraverso la progettazione di topologie basate su CoolSiC™