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SI3425DV-T1-GE3
MOSFET di potenza, canale P, 20 V, 8 A, 0.028 ohm, TSOP, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI3425DV-T1-GE3
Codice Prodotto4644737RL
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id8A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.028ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.5V
Dissipazione di potenza3W
Numero di pin6Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.028ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.5V
Numero di pin
6Pin
Corrente Continua di Drain Id
8A
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
3W
Temperatura di esercizio max
150°C
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto