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SSM3K15AMFV,L3F(T
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 8000+ | € 0,084 |
| 24000+ | € 0,0683 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreSSM3K15AMFV,L3F(T
Codice Prodotto4320120
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id100mA
Resistenza Drain-Source in conduzione3.6ohm
Stile di Case del TransistorSOT-723
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.5V
Dissipazione di potenza150mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
100mA
Stile di Case del Transistor
SOT-723
Tensione di test di Rds(on)
4V
Dissipazione di potenza
150mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
3.6ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto