Toshiba lancia i MOSFET di terza generazione in carburo di silicio (SiC) da 650V e 1200V che migliorano l'efficienza e riducono le dimensioni nelle applicazioni industriali e di energia verde

650V MOSFET al Carburo di Silicio (SiC)

Questi prodotti altamente efficienti e versatili saranno utilizzati in una serie di applicazioni complesse, tra cui gli alimentatori a commutazione (SMPS) e i gruppi di continuità (UPS) per server, data center e apparecchiature di comunicazione.

Troveranno applicazione anche nelle energie rinnovabili, tra cui gli inverter fotovoltaici e i convertitori CC-CC bidirezionali, come quelli utilizzati per la ricarica dei veicoli elettrici (EV).

I nuovi TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C e TW107N65C sono basati sull'avanzato processo SiC di terza generazione di Toshiba, che ottimizza le strutture delle celle utilizzate nei dispositivi di seconda generazione.

Grazie a questi progressi, la figura di merito chiave (FoM), calcolata come il prodotto della resistenza di drain-source on (RDS(on)) e della carica gate-drain (Qg) per rappresentare le perdite statiche e dinamiche, è migliorata di circa l'80%. Questo riduce in modo significativo le perdite e permette di sviluppare soluzioni di alimentazione con densità di potenza più elevate e costi di gestione inferiori.

In comune con i dispositivi precedenti, i nuovi MOSFET di terza generazione includono una barriera Schottky integrata in SiC con una bassa tensione in avanti (VF) di -1,35V (tip.) per sopprimere le fluttuazioni di RDS(on), migliorando così l'affidabilità.

I nuovi dispositivi sono in grado di gestire correnti (ID) fino a 100 A e presentano valori di RDS(on) fino a 15mΩ. Tutti i dispositivi sono alloggiati in un pacchetto TO-247 standard del settore.

1200V MOSFET al Carburo di Silicio (SiC)

MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200 V che sfruttano la tecnologia SiC di terza generazione dell'azienda per aumentare l'efficienza energetica delle applicazioni industriali ad alta tensione.

Sono utilizzati in apparecchiature come stazioni di ricarica per veicoli elettrici, inverter fotovoltaici, alimentatori industriali, gruppi di continuità (UPS) e convertitori CC-CC bidirezionali o half bridge.

Migliorando di oltre l'80% la figura di merito della resistenza di accensione x carica del gate-drain (RDS(on) x QGD) , l'ultima tecnologia SiC di Toshiba eleva le prestazioni di conduzione e commutazione nelle topologie di conversione di potenza.

Inoltre, i nuovi dispositivi contengono l'innovativo diodo a barriera Schottky (SBD) incorporato, già collaudato nella generazione precedente. L'SBD incorporato migliora l'affidabilità dei MOSFET SiC superando gli effetti parassiti interni per mantenere stabile la RDS(on) del dispositivo.

Inoltre, i prodotti hanno un'ampia gamma di tensioni massime di gate-source, da -10 V a 25 V, che aumenta la flessibilità di funzionamento in vari progetti di circuiti e condizioni applicative. La tensione di soglia del gate (VGS(th)) varia da 3,0 V a 5,0 V, garantisce prestazioni di commutazione prevedibili con una deriva minima e permette di progettare un gate-driver semplice.

I MOSFET SiC di terza generazione ora disponibili sono i TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C e TW140N120C. I dispositivi hanno valori di RDS(on) da 15mΩ a 140mΩ (tipici, a VGS = 18V) e correnti di drenaggio da 20A a 100A (DC a TC=25°C).

Tutti i dispositivi sono in piena produzione e pronti per essere ordinati dai distributori, nel pacchetto di alimentazione standard TO-247.

Caratteristiche elettriche del MOSFET al Carburo di Silicio (SiC) da 650 V

TW015N65C
CaratteristicheSimboloCondizioneValoreUnità
Resistenza di accensione drain-source (max)RDS(ON)|VGS|=18 V21
Capacitanza d’ingresso (Tip.)Ciss-4850pF
TW027N65C
CaratteristicheSimboloCondizioneValoreUnità
Resistenza di accensione drain-source (max)RDS(ON)|VGS|=18 V37
Capacitanza d’ingresso (Tip.)Ciss-2288pF
TW048N65C
CaratteristicheSimboloCondizioneValoreUnità
Resistenza di accensione drain-source (max)RDS(ON)|VGS|=18 V65
Capacitanza d’ingresso (Tip.)Ciss-1362pF
TW083N65C
CaratteristicheSimboloCondizioneValoreUnità
Resistenza di accensione drain-source (max)RDS(ON)|VGS|=18 V113
Capacitanza d’ingresso (Tip.)Ciss-873pF
TW107N65C
CaratteristicheSimboloCondizioneValoreUnità
Resistenza di accensione drain-source (max)RDS(ON)|VGS|=18 V145
Capacitanza d’ingresso (Tip.)Ciss-600pF

Caratteristiche elettriche del MOSFET al Carburo di Silicio (SiC) da 1200 V

TW015N120C
CaratteristicheSimboloCondizioneValoreUnità
Resistenza di accensione drain-source (max)RDS(ON)|VGS|=18 V20
Capacitanza d’ingresso (Tip.)Ciss-6000pF
TW030N120C
CaratteristicheSimboloCondizioneValoreUnità
Resistenza di accensione drain-source (max)RDS(ON)|VGS|=18 V40
Capacitanza d’ingresso (Tip.)Ciss-2925pF
TW045N120C
CaratteristicheSimboloCondizioneValoreUnità
Resistenza di accensione drain-source (max)RDS(ON)|VGS|=18 V59
Capacitanza d’ingresso (Tip.)Ciss-1969pF
TW060N120C
CaratteristicheSimboloCondizioneValoreUnità
Resistenza di accensione drain-source (max)RDS(ON)|VGS|=18 V78
Capacitanza d’ingresso (Tip.)Ciss-1530pF
TW140N120C
CaratteristicheSimboloCondizioneValoreUnità
Resistenza di accensione drain-source (max)RDS(ON)|VGS|=18 V182
Capacitanza d’ingresso (Tip.)Ciss-691pF

650V MOSFET al Carburo di Silicio (SiC)

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1200V MOSFET al Carburo di Silicio (SiC)

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