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BC857CDW1T1G
Array di transistori bipolari, PNP
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| Quantità | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,0355 |
| 9000+ | € 0,0297 |
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Più: 3000
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreBC857CDW1T1G
Codice Prodotto2440805
Datasheet tecnico
Polarità TransistorPNP
Stile di Case del TransistorSOT-363
Numero di pin6Pin
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
Il BC857CDW1T1G è un doppio transistor bipolare PNP di tipo generico, progettato per applicazioni di amplificazioni per scopi generali. Il dispositivo è alloggiato in un package pensato per le applicazioni a montaggio superficiale di bassa potenza.
- Qualificato AEC-Q101 e capace di PPAP
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Polarità Transistor
PNP
Numero di pin
6Pin
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Stile di Case del Transistor
SOT-363
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto