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PSMN1R2-25YLDX
MOSFET di potenza, NextPowerS3, canale N, 25 V, 100 A, 1030 µohm, SOT-669
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePSMN1R2-25YLDX
Codice Prodotto2545176RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds25V
Corrente Continua di Drain Id100A
Resistenza Drain-Source in conduzione1030µohm
Stile di Case del TransistorSOT-669
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.73V
Dissipazione di potenza172W
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
100A
Stile di Case del Transistor
SOT-669
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
172W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tensione Drain Source Vds
25V
Resistenza Drain-Source in conduzione
1030µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.73V
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (25-Jun-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000082
Tracciabilità del prodotto