
MOSFET a basso segnale per applicazioni portatili
MOSFET a basso segnale ad alto volume per applicazioni portatili in pacchetti WLCSP e DFN senza piombo
MOSFET a basso segnale
MOSFET a basso segnale per applicazioni portatili come driver di relè, circuiti di commutazione, convertitori CC/CC e altro ancora. Offriamo un'ampia gamma di opzioni di package, da quelli più piccoli come DFN0606 a quelli ultra-sottili senza piombo DFN2020M-6. Scelta ottimale tra canale N e canale P con una varietà di intervalli RDS(on).
Caratteristiche principali
- Bassa tensione di soglia
- Commutazione molto rapida
- Con il più piccolo MOSFET DFN da 0,63x0,33x0,25 mm e il pacchetto ultra-sottile SMD senza piombo DFN2020M-6.
- Il miglior RDS(on) della categoria
Applicazioni
- Driver di relè
- Driver di linea ad alta velocità
- Commutatore di carico lato alto
- Circuiti di commutazione
- Interruttore di batteria
- Interruttore di ricarica per dispositivi portatili
- Convertitori CC-CC
- Gestione dell'energia nei dispositivi portatili a batteria
- Gestione dell'energia informatica

PMX100UN
Transistor a effetto di campo (FET) a 20 V, a canale N in modalità enhancement, in un dispositivo a montaggio superficiale (SMD) senza piombo di dimensioni ultra ridotte DFN0603-3 (SOT8013) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET
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9346 624 05317 | N | Acquista ora | Download |

PMX100UNZ
Transistor a effetto di campo (FET) a 20 V, a canale N in modalità enhancement, in un dispositivo a montaggio superficiale (SMD) senza piombo di dimensioni ultra ridotte DFN0603-3 (SOT8013) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET
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9346 624 08317 | N | Acquista ora | Download |

PMX400UP
Transistor a effetto di campo (FET) a 20 V, a canale P in modalità enhancement, in un dispositivo a montaggio superficiale (SMD) senza piombo di dimensioni ultra ridotte DFN0603-3 (SOT8013) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET
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9346 624 06317 | N | Acquista ora | Download |

PMPB07R3EN
Transistor a effetto di campo (FET) a canale N in modalità enhancement a 30 V in un contenitore plastico senza piombo di media potenza DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET con RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ): 8.6 & RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ): 12
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934662428115 | N | Acquista ora | Download |

PMCA14UN
Transistor a effetto di campo (FET) a 12 V, a canale N in modalità enhancement, in un dispositivo a montaggio superficiale (SMD) con package senza piombo di dimensioni ultra ridotte DSN1010-3 (SOT8007) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET
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934661653315 | N | Acquista ora | Download |

PMCM6501UPE
Transistor a effetto di campo (FET) a 20 V, con canale P in modalità enhancement, in un package Wafer Level Chip-Size (WLCSP) a 6 bumps che utilizza la tecnologia Trench MOSFET
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934070324023 | N | Acquista ora | Download |

PMCM4401UNE
Transistor a effetto di campo (FET) a 20 V, a canale N in modalità enhancement, in un package Wafer Level Chip-Size (WLCSP) a 4 bumps che utilizza la tecnologia Trench MOSFET
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934070325084 | N | Acquista ora | Download |

PMCM4401VPE
Transistor a effetto di campo (FET) a 12 V, con canale P in modalità enhancement, in un package Wafer Level Chip-Size (WLCSP) a 4 bumps che utilizza la tecnologia Trench MOSFET
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93406887408 | N | Acquista ora | Download |

PMCM6501UNE
Transistor a effetto di campo (FET) a 20 V, a canale N in modalità enhancement, in un package Wafer Level Chip-Size (WLCSP) a 6 bumps che utilizza la tecnologia Trench MOSFET
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934070323023 | N | Acquista ora | Download |

PMCM4402UPE
Transistor a effetto di campo (FET) a 20 V, con canale P in modalità enhancement, in un package Wafer Level Chip-Size (WLCSP) a 4 bumps che utilizza la tecnologia Trench MOSFET con RDSon [max] @ VGS = 4,5 V (mΩ): 80 & RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ): 110
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934070415084 | N | Acquista ora | Download |

PMH550UPE
Transistor a effetto di campo (FET) a 20 V, a canale P in modalità enhancement, in un dispositivo con package in plastica a montaggio superficiale (SMD) senza piombo di dimensioni ultra ridotte DFN0606-3 (SOT8001) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET
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935690959125 | N | Acquista ora | Download |

PMH600UNE
Transistor a effetto di campo (FET) a canale N in modalità enhancement a 20 V in un contenitore plastico senza piombo ultra piccolo DFN0606-3 (SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET con RDSon [max] @ VGS = 4,5 V (mΩ): 620 & RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ): 710
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934660487125 | N | Acquista ora | Download |

PMH260UNE
Transistor a effetto di campo (FET) a canale N in modalità enhancement a 20 V in un contenitore plastico senza piombo ultra piccolo DFN0606-3 (SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET con RDSon [max] @ VGS = 4,5 V (mΩ): 310 & RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ): 420
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934661483125 | N | Acquista ora | Download |

NX138BKH
Transistor a effetto di campo (FET) a canale N in modalità enhancement a 60 V in un contenitore plastico senza piombo ultra piccolo DFN0606-3 (SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET con RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ): 1600 & RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ): 2700
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PMCB60XN
Transistor a effetto di campo (FET) a canale N in modalità enhancement a 30 V in un package senza piombo ultra piccolo DSN1006-3 (SOT8026) Surface-Mounted Device (SMD) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET con RDSon [max] @ VGS = 4,5 V (mΩ): 50 & RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ): 65
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