MOSFET a basso segnale ad alto volume per applicazioni portatili in pacchetti WLCSP e DFN senza piombo

MOSFET a basso segnale

MOSFET a basso segnale per applicazioni portatili come driver di relè, circuiti di commutazione, convertitori CC/CC e altro ancora. Offriamo un'ampia gamma di opzioni di package, da quelli più piccoli come DFN0606 a quelli ultra-sottili senza piombo DFN2020M-6. Scelta ottimale tra canale N e canale P con una varietà di intervalli RDS(on).

Caratteristiche principali

  • Bassa tensione di soglia
  • Commutazione molto rapida
  • Con il più piccolo MOSFET DFN da 0,63x0,33x0,25 mm e il pacchetto ultra-sottile SMD senza piombo DFN2020M-6.
  • Il miglior RDS(on) della categoria

Applicazioni

  • Driver di relè
  • Driver di linea ad alta velocità
  • Commutatore di carico lato alto
  • Circuiti di commutazione
  • Interruttore di batteria
  • Interruttore di ricarica per dispositivi portatili
  • Convertitori CC-CC
  • Gestione dell'energia nei dispositivi portatili a batteria
  • Gestione dell'energia informatica
PMX100UN

PMX100UN

Transistor a effetto di campo (FET) a 20 V, a canale N in modalità enhancement, in un dispositivo a montaggio superficiale (SMD) senza piombo di dimensioni ultra ridotte DFN0603-3 (SOT8013) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET

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PMX100UNZ

PMX100UNZ

Transistor a effetto di campo (FET) a 20 V, a canale N in modalità enhancement, in un dispositivo a montaggio superficiale (SMD) senza piombo di dimensioni ultra ridotte DFN0603-3 (SOT8013) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET

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PMX400UP

PMX400UP

Transistor a effetto di campo (FET) a 20 V, a canale P in modalità enhancement, in un dispositivo a montaggio superficiale (SMD) senza piombo di dimensioni ultra ridotte DFN0603-3 (SOT8013) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET

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PMPB07R3EN

PMPB07R3EN

Transistor a effetto di campo (FET) a canale N in modalità enhancement a 30 V in un contenitore plastico senza piombo di media potenza DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET con RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ): 8.6 & RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ): 12

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PMCA14UN

PMCA14UN

Transistor a effetto di campo (FET) a 12 V, a canale N in modalità enhancement, in un dispositivo a montaggio superficiale (SMD) con package senza piombo di dimensioni ultra ridotte DSN1010-3 (SOT8007) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET

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PMCM6501UPE

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Transistor a effetto di campo (FET) a 20 V, con canale P in modalità enhancement, in un package Wafer Level Chip-Size (WLCSP) a 6 bumps che utilizza la tecnologia Trench MOSFET

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PMCM4401UNE

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Transistor a effetto di campo (FET) a 20 V, a canale N in modalità enhancement, in un package Wafer Level Chip-Size (WLCSP) a 4 bumps che utilizza la tecnologia Trench MOSFET

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PMCM4401VPE

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Transistor a effetto di campo (FET) a 12 V, con canale P in modalità enhancement, in un package Wafer Level Chip-Size (WLCSP) a 4 bumps che utilizza la tecnologia Trench MOSFET

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PMCM6501UNE

PMCM6501UNE

Transistor a effetto di campo (FET) a 20 V, a canale N in modalità enhancement, in un package Wafer Level Chip-Size (WLCSP) a 6 bumps che utilizza la tecnologia Trench MOSFET

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PMCM4402UPE

PMCM4402UPE

Transistor a effetto di campo (FET) a 20 V, con canale P in modalità enhancement, in un package Wafer Level Chip-Size (WLCSP) a 4 bumps che utilizza la tecnologia Trench MOSFET con RDSon [max] @ VGS = 4,5 V (mΩ): 80 & RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ): 110

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PMH550UPE

PMH550UPE

Transistor a effetto di campo (FET) a 20 V, a canale P in modalità enhancement, in un dispositivo con package in plastica a montaggio superficiale (SMD) senza piombo di dimensioni ultra ridotte DFN0606-3 (SOT8001) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET

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PMH600UNE

PMH600UNE

Transistor a effetto di campo (FET) a canale N in modalità enhancement a 20 V in un contenitore plastico senza piombo ultra piccolo DFN0606-3 (SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET con RDSon [max] @ VGS = 4,5 V (mΩ): 620 & RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ): 710

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PMH260UNE

PMH260UNE

Transistor a effetto di campo (FET) a canale N in modalità enhancement a 20 V in un contenitore plastico senza piombo ultra piccolo DFN0606-3 (SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET con RDSon [max] @ VGS = 4,5 V (mΩ): 310 & RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ): 420

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NX138BKH

NX138BKH

Transistor a effetto di campo (FET) a canale N in modalità enhancement a 60 V in un contenitore plastico senza piombo ultra piccolo DFN0606-3 (SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET con RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ): 1600 & RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ): 2700

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PMCB60XN

PMCB60XN

Transistor a effetto di campo (FET) a canale N in modalità enhancement a 30 V in un package senza piombo ultra piccolo DSN1006-3 (SOT8026) Surface-Mounted Device (SMD) che utilizza la tecnologia Trench MOSFET con RDSon [max] @ VGS = 4,5 V (mΩ): 50 & RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ): 65

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