Stampa pagina
IXYN100N65C3H1
Modulo IGBT, configurazione singola, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
290 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 25,360 |
| 5+ | € 23,710 |
| 10+ | € 22,070 |
| 50+ | € 20,420 |
| 100+ | € 18,770 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 25,36 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreLITTELFUSE
Cod. produttoreIXYN100N65C3H1
Codice Prodotto3930297
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTconfigurazione singola
Corrente di Collettore continua160A
Corrente di Collettore CC160A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)1.8V
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.8V
Dissipazione di potenza600W
Dissipazione di Potenza Pd600W
Temperatura di esercizio max175°C
Temperatura di Giunzione Tj Max175°C
Stile di Case del TransistorSOT-227B
Terminazione IGBTprigioniero
Massima tensione Collettore-Emettitore650V
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo650V
Tecnologia Transistore IGBT-
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Panoramica del prodotto
Extreme light punch through IGBT for 20-60KHz switching suitable for use in power inverters, UPS, motor drives, SMPS, PFC circuits, battery chargers, welding machines, lamp ballasts, high frequency power inverters applications.
- XPT™ 650V GenX3™ w/ sonic diode
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- 2500V isolation voltage
- Anti-parallel sonic diode
- Square RBSOA
- Short circuit capability
- High current handling capability
- High power density
- Low gate drive requirement
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
configurazione singola
Corrente di Collettore CC
160A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.8V
Dissipazione di Potenza Pd
600W
Temperatura di Giunzione Tj Max
175°C
Terminazione IGBT
prigioniero
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
650V
Montaggio Transistore
a pannello
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Corrente di Collettore continua
160A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
1.8V
Dissipazione di potenza
600W
Temperatura di esercizio max
175°C
Stile di Case del Transistor
SOT-227B
Massima tensione Collettore-Emettitore
650V
Tecnologia Transistore IGBT
-
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto