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IXFN170N65X2
MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227
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ProduttoreLITTELFUSE
Cod. produttoreIXFN170N65X2
Codice Prodotto3771784
Gamma ProdottiHiPERFET X2 Series
Datasheet tecnico
272 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreLITTELFUSE
Cod. produttoreIXFN170N65X2
Codice Prodotto3771784
Gamma ProdottiHiPERFET X2 Series
Datasheet tecnico
Tipo di canaleN Channel
Corrente Continua di Drain Id170A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.013ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Stile di Case del TransistorSOT-227
Montaggio TransistoreModule
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza1.17kW
Temperatura di esercizio max150°C
Numero di pin4Pin
Qualificazioni-
Gamma di prodottiHiPERFET X2 Series
Specifiche tecniche
Tipo di canale
N Channel
Tensione Drain Source Vds
650V
Tensione di test di Rds(on)
10V
Montaggio Transistore
Module
Dissipazione di potenza
1.17kW
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
HiPERFET X2 Series
Corrente Continua di Drain Id
170A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.013ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-227
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.044453
Tracciabilità del prodotto