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IS43DR86400E-3DBLI
DRAM, 333MHZ, 512MBIT, BGA-60
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| Quantità | |
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| 1+ | € 4,670 |
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| 25+ | € 4,200 |
| 50+ | € 4,110 |
| 100+ | € 4,000 |
| 250+ | € 3,880 |
| 500+ | € 3,790 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Cod. produttoreIS43DR86400E-3DBLI
Codice Prodotto4750935
Tipo DRAMDDR2
Densità di Memoria512Mbit
Configurazione di memoria64M x 8bit
Frequenza di Clock Max333MHz
Package/case del circuito integratoBGA
Numero di pin60Pin
Tensione di Alimentazione Nom1.8V
Montaggio CISurface Mount
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max85°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Specifiche tecniche
Tipo DRAM
DDR2
Configurazione di memoria
64M x 8bit
Package/case del circuito integrato
BGA
Tensione di Alimentazione Nom
1.8V
Temperatura di esercizio min
-40°C
Gamma di prodotti
-
Densità di Memoria
512Mbit
Frequenza di Clock Max
333MHz
Numero di pin
60Pin
Montaggio CI
Surface Mount
Temperatura di esercizio max
85°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002559