Stampa pagina
IRFU5305PBF
MOSFET di potenza, canale P, 55 V, 22 A, 0.065 ohm, TO-251AA, foro passante (THT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFU5305PBF
Codice Prodotto8650080
Anche noto comeSP001550274
Datasheet tecnico
1 925 A Stock
3 000 Puoi prenotare le disponibilità ora
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,240 |
| 10+ | € 0,475 |
| 100+ | € 0,409 |
| 500+ | € 0,356 |
| 1000+ | € 0,340 |
| 5000+ | € 0,323 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 1,24 (IVA esc)
nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFU5305PBF
Codice Prodotto8650080
Anche noto comeSP001550274
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds55V
Corrente Continua di Drain Id22A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.065ohm
Stile di Case del TransistorTO-251AA
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza69W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Dynamic dv/dt rating
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
22A
Stile di Case del Transistor
TO-251AA
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
69W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
55V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.065ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001413
Tracciabilità del prodotto