Stampa pagina
IMTA65R040M2HXTMA1
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMTA65R040M2HXTMA1
Codice Prodotto4445609
Gamma ProdottiCoolSiC G2 Series
Anche noto comeIMTA65R040M2H, SP005954482
Datasheet tecnico
210 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 7,590 |
| 5+ | € 7,120 |
| 10+ | € 6,650 |
| 50+ | € 6,190 |
| 100+ | € 5,840 |
| 250+ | € 5,720 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1
Più: 1
€ 7,59 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMTA65R040M2HXTMA1
Codice Prodotto4445609
Gamma ProdottiCoolSiC G2 Series
Anche noto comeIMTA65R040M2H, SP005954482
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id54A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.036ohm
Stile di Case del TransistorLHSOF
Numero di pin4Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima5.6V
Dissipazione di potenza242W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiCoolSiC G2 Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
54A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.036ohm
Numero di pin
4Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5.6V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Stile di Case del Transistor
LHSOF
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
242W
Gamma di prodotti
CoolSiC G2 Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00003
Tracciabilità del prodotto