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IMBG65R007M2HXTMA1
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMBG65R007M2HXTMA1
Codice Prodotto4378732RL
Gamma ProdottiCoolSiC G2 Series
Anche noto comeIMBG65R007M2H, SP005912570
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMBG65R007M2HXTMA1
Codice Prodotto4378732RL
Gamma ProdottiCoolSiC G2 Series
Anche noto comeIMBG65R007M2H, SP005912570
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id238A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0061ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima5.6V
Dissipazione di potenza789W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiCoolSiC G2 Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
IMBG65R007M2HXTMA1 is a CoolSiC MOSFET in a 7 pin TO-263 package. Built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, the 650V CoolSiC™ MOSFET delivers unparalleled performance, superior reliability, and great ease of use. It enables cost effective, highly efficient, and simplified designs to fulfil the ever-growing system and market needs. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage and battery formation, UPS, EV charging infrastructure and motor drives.
- Ultra-low switching losses
- Benchmark gate threshold voltage VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn-on even with 0V turn-off gate voltage
- Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme
- Robust body diode operation under hard commutation events
- Enables high efficiency and high power density designs
- Facilitates great ease of use and integration
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
238A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0061ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5.6V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
789W
Gamma di prodotti
CoolSiC G2 Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto