IDDD20G65C6XTMA1
Diodo Schottky al carburo di silicio, CoolSiC 6G 650V, singolo, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP
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| Quantità | |
|---|---|
| 10+ | € 4,570 |
| 100+ | € 3,960 |
| 500+ | € 3,480 |
| 1000+ | € 3,430 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
La generazione CoolSiC™ G6 si basa su una tecnologia Infineon di punta per i diodi a barriera Schottky SiC. La G6 è la versione avanzata della tecnologia G5 di Infineon con l’introduzione di un sistema Schottky di metallo innovativo. Il diodo Schottky CoolSiC™ G6 è stato progettato come complemento delle famiglie CoolMOS™ 7 da 600V e 650V e soddisfano i requisiti di applicazione più stringenti in questo range di tensioni. Questa gamma offre vantaggi chiave come i risparmi di spazio e costo di sistema grazie ai requisiti di raffreddamento ridotti e permette in questo modo una frequenza e una densità di potenza più elevata.
Specifiche tecniche
CoolSiC 6G 650V
650V
26.8nC
10 Pin
montaggio superficiale
No SVHC (21-Jan-2025)
singolo
51A
HDSOP
175°C
-
Documenti tecnici (1)
Prodotti associati
4 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto