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IAUC120N04S6N009ATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIAUC120N04S6N009ATMA1
Codice Prodotto3267762RL
Gamma ProdottiOptiMOS-6
Anche noto comeIAUC120N04S6N009, SP001688678
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id120A
Resistenza Drain-Source in conduzione750µohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)750µohm
Stile di Case del TransistorTDSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.8V
Dissipazione di potenza150W
Dissipazione di Potenza Pd150W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiOptiMOS-6
QualificazioniAEC-Q101
Standard di Qualifica AutomotiveAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
IAUC120N04S6N009ATMA1 è un transistor di potenza OptiMOS™- 6.
- OptiMOS™ - MOSFET di potenza per applicazioni automotive
- Canale N - modalità ad arricchimento - livello normale
- Qualificato AEC Q101
- Temperatura di esercizio: 175°C
- Test di valanga al 100%
- Package PG-TDSON-8
- Tensione di rottura drain-source: 40V a GS=0V, I D= 1mA
- Resistenza di conduzione drain-source: 0,95mohm tipica a V GS=7V, I D=60A
- Corrente di drain continua: 120A a Tc=25°C, VGS=10V
- Temperatura di esercizio e a scaffale: da -55 a +175°C
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
750µohm
Stile di Case del Transistor
TDSON
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
150W
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
OptiMOS-6
Standard di Qualifica Automotive
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
120A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
750µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.8V
Dissipazione di Potenza Pd
150W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0001