Stampa pagina
BSS84PWH6327XTSA1
MOSFET di potenza, canale P, 60 V, 150 mA, 8 ohm, SOT-323, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSS84PWH6327XTSA1
Codice Prodotto2480656
Anche noto comeBSS84PW H6327 , SP000917564
Datasheet tecnico
147 805 A Stock
Ti serve altro?
.
.
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 0,160 |
| 50+ | € 0,0778 |
| 250+ | € 0,0639 |
| 1000+ | € 0,0578 |
| 9000+ | € 0,030 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 0,80 (IVA esc)
nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSS84PWH6327XTSA1
Codice Prodotto2480656
Anche noto comeBSS84PW H6327 , SP000917564
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id150mA
Resistenza Drain-Source in conduzione8ohm
Stile di Case del TransistorSOT-323
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.5V
Dissipazione di potenza300mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
- P-channel SIPMOS® small signal transistor
- Enhancement mode
- Avalanche rated
- Logic level
- dv/dot rated
- Qualified according to AEC Q101
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
150mA
Stile di Case del Transistor
SOT-323
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
300mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
8ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000048
Tracciabilità del prodotto