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BSM25GD120DN2BOSA1
Modulo IGBT, ponte intero trifase, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSM25GD120DN2BOSA1
Codice Prodotto1496948
Gamma ProdottiCompute Module 3+ Series
Anche noto comeBSM25GD120DN2, SP000100370
Datasheet tecnico
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSM25GD120DN2BOSA1
Codice Prodotto1496948
Gamma ProdottiCompute Module 3+ Series
Anche noto comeBSM25GD120DN2, SP000100370
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTponte intero trifase
Polarità TransistorCanale N
Corrente di Collettore CC35A
Corrente di Collettore continua35A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore3V
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)3V
Dissipazione di Potenza Pd200W
Dissipazione di potenza200W
Temperatura di Giunzione Tj Max125°C
Temperatura di esercizio max125°C
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo1.2kV
Stile di Case del TransistorEconoPACK
Terminazione IGBTprigioniero
Numero di pin17Pin
Massima tensione Collettore-Emettitore1.2kV
Tecnologia Transistore IGBT-
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodottiCompute Module 3+ Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Panoramica del prodotto
BSM25GD120DN2 è un modulo di potenza IGBT con diodi free-wheel rapidi e piastra di base di metallo isolato.
- Full bridge trifase
- Tempo di salita: 130ns
- Tempo di discesa: 100ns
- Tensione porta-emettitore: ±20V
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
ponte intero trifase
Corrente di Collettore CC
35A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
3V
Dissipazione di Potenza Pd
200W
Temperatura di Giunzione Tj Max
125°C
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
1.2kV
Terminazione IGBT
prigioniero
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.2kV
Montaggio Transistore
a pannello
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Polarità Transistor
Canale N
Corrente di Collettore continua
35A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
3V
Dissipazione di potenza
200W
Temperatura di esercizio max
125°C
Stile di Case del Transistor
EconoPACK
Numero di pin
17Pin
Tecnologia Transistore IGBT
-
Gamma di prodotti
Compute Module 3+ Series
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.18
Tracciabilità del prodotto