Stampa pagina
BSC076N06NS3GATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSC076N06NS3GATMA1
Codice Prodotto2443422RL
Anche noto comeBSC076N06NS3 G, SP000453656
Datasheet tecnico
47 467 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,532 |
| 500+ | € 0,470 |
| 1000+ | € 0,431 |
| 5000+ | € 0,352 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 58,20 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSC076N06NS3GATMA1
Codice Prodotto2443422RL
Anche noto comeBSC076N06NS3 G, SP000453656
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id50A
Resistenza Drain-Source in conduzione7600µohm
Stile di Case del TransistorTDSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza69W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The BSC076N06NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Ideal for fast switching applications
- MSL1 rated
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
- Normal level
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
50A
Stile di Case del Transistor
TDSON
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
69W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
7600µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (3)
Alternative per BSC076N06NS3GATMA1
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0003
Tracciabilità del prodotto