Garanzia di prestazioni elevate, affidabili e vantaggiose

Megatrend come la digitalizzazione, l'urbanizzazione e la mobilità elettrica comportano un aumento del consumo di energia, mettendo in primo piano il tema dell'efficienza energetica. Infineon risponde offrendo soluzioni di sistema complete da un'unica fonte, avvalendosi non più soltanto della sua rinomata tecnologia al silicio, ma anche di innovativi dispositivi wide band-gap come i MOSFET CoolSiC™ in SiC.

La tecnologia dei MOSFET CoolSiC™ di Infineon sfrutta le straordinarie caratteristiche fisiche del carburo di silicio (SiC), come la capacità di operare a tensioni, temperature e frequenze più elevate. Grazie all'aggiunta di caratteristiche uniche, Infineon riesce a migliorare ulteriormente le prestazioni dei dispositivi. Applicando la tecnologia superiore TRENCH di Infineon, l'impiego dei MOSFET CoolSiC™ garantisce perdite minime in applicazione e la massima affidabilità di funzionamento.

I MOSFET CoolSiC™ sono adatti alle alte temperature e alle operazioni più difficili. Di conseguenza, essi consentono un'implementazione semplificata ed economica della massima efficienza del sistema in un'ampia gamma di applicazioni.

Vantaggi in applicazione

UPS

Supporta la massima efficienza nel funzionamento 24/7 e riduce le perdite di energia del 50%

Alimentazione del server

Risparmio OPEX grazie a una maggiore efficienza energetica con perdite ridotte fino al 30%

Caricabatterie per veicoli elettrici a ricarica rapida

Ricarica dei veicoli elettrici 2 volte più veloce

Immagazzinamento di energia

Perdite ridotte del 50% per maggiore energia

Alimentazione per telecomunicazioni

Design semplificato e adatto agli ambienti 5G più difficili

Invertitori solari

Raddoppio della potenza dell'inverter a parità di peso dell'inverter stesso

Nuova tipologia di imballaggio: MOSFET CoolSiC™ da 650 V nel formato D2PAK 7pin

  • Comportamento di commutazione ottimizzato a correnti più elevate
  • Robusto diodo a commutazione rapida con basso Qrr
  • Affidabilità superiore dell'ossido di gate
  • Tj,max=175°C e comportamento termico eccellente
  • RDS(on) inferiore e dipendenza degli impulsi di corrente dalla temperatura
  • Maggiore capacità di valanga
  • Compatibile con i driver standard (tensione di pilotaggio consigliata: 0V-18V)
  • La sorgente Kelvin riduce fino a 4 volte le perdite di commutazione

MOSFET CoolSiC da 650 V

Il CoolSiC™ da 650 V si basa sulla tecnologia del carburo di silicio solido sviluppata da Infineon per oltre 20 anni. Grazie alle caratteristiche del materiale SiC ad ampio band-gap, il MOSFET CoolSiC™ da 650 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso. Adatto alle alte temperature e alle operazioni più difficili, consente l'implementazione semplificata ed economica della massima efficienza del sistema.

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MOSFET di potenza CoolSiC™

Numero parteSpecifichePacchettoAcquista ora
IMBG65R022M1HMOSFET a trincea CoolSiC™ da 650 V, 22 mΩ in SiCTO-263-7Acquista ora
IMBG65R030M1HCoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 30 mΩTO-263-7Acquista ora
IMBG65R039M1HCoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 39 mΩTO-263-7Acquista ora
IMBG65R048M1HCoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 48 mΩTO-263-7Acquista ora
IMBG65R057M1HCoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 57 mΩTO-263-7Acquista ora
IMBG65R072M1HCoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 72 mΩTO-263-7Acquista ora
IMBG65R083M1HCoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 83 mΩTO-263-7Acquista ora
IMBG65R107M1HCoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 107 mΩTO-263-7Acquista ora
IMBG65R163M1HCoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 163 mΩTO-263-7Acquista ora
IMBG65R260M1HCoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 260 mΩTO-263-7Acquista ora
IMW65R048M1HCoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 48 mΩTO-247-3Acquista ora
IMW65R027M1HCoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 27 mΩTO-247-3Acquista ora
IMZA65R027M1HCoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 27 mΩTO-247-4Acquista ora
IMZA65R048M1HCoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 48 mΩTO-247-4Acquista ora
IMZA65R072M1HCoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 72 mΩTO-247-4Acquista ora

EiceDRIVER™ 1EDN TDI

Superate le sfide del ground-shift nei vostri progetti con i circuiti integrati gate-driver EiceDRIVER™ a canale singolo non isolato di Infineon, dotati di ingressi realmente differenziali. Si integrano perfettamente con i MOSFET CoolSiC™.

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EiceDRIVER™ 2EDi

150mil 16-pin DSO La famiglia di prodotti EiceDRIVER™ 2EDi, a doppio canale isolato, è progettata per un funzionamento robusto in half-bridge di MOSFET CoolMOS™, CoolSiC™ e OptiMOS™ ad alte prestazioni..

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Circuiti integrati di pilotaggio del gate per MOSFET CoolSiC™

Numero parteSpecifichePacchettoAcquista ora
2EDF9275FCircuito integrato di pilotaggio del gate a doppio canale con isolamento funzionale ingresso-uscita, UVLO 13 VNB-DSO16 10mmx6mmAcquista ora
1EDB9275FCircuito integrato di pilotaggio del gate isolato a canale singolo con isolamento funzionale ingresso-uscita, UVLO 14,4 VPG-DSO 8 Acquista ora
1EDN7550BCircuito integrato di pilotaggio del gate non isolato a canale singolo con ingressi realmente differenzialiSOT-23Acquista ora
2EDS9265HCircuito integrato di pilotaggio del gate a doppio canale con isolamento rinforzato ingresso-uscita, UVLO 13 VWB-DSO16 10.3mmx10.3mmAcquista ora

EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC

Unità PFC bidirezionale di tipo totem pole da 3300 W in CCM che utilizza CoolSiC™ da 650 V, CoolMOS™ C7 da 600 V e controllo digitale tramite XMC™

Questa scheda di valutazione è una soluzione di sistema per un correttore di fattore di potenza (PFC) di tipo totem pole senza ponte con capacità di alimentazione bidirezionale. La scheda di valutazione EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC è destinata alle applicazioni che richiedono un'elevata efficienza (~99%) e un'alta densità di potenza (72 W/in3) come i server di fascia alta e le telecomunicazioni. Inoltre, la capacità di flusso di potenza bidirezionale consente di utilizzare questo modello nei caricabatterie o nelle applicazioni di formazione delle batterie.

Caratteristiche principali

  • PFC di tipo totem pole senza ponte
  • Densità di potenza elevata
  • Abilitato da MOSFET CoolSiC™ da 650 V
  • Controllato digitalmente tramite XMC1404
  • Capacità bidirezionale (funzionamento CC-CA)

Vantaggi

  • Efficienza intorno al 99%
  • Fattore di forma compatto (72 W/in3)
  • Basso numero di componenti
  • Funzionamento bidirezionale (controllo digitale)

Applicazioni potenziali

  • Sistemi di accumulo dell’energia
  • Formazione delle batterie
  • caricatore
  • Ricarica di veicoli elettrici
  • Mobilità elettrica
  • Potenza industriale
  • Alimentazione (SMPS)
  • Robotica - veicoli a guida automatica
  • telecomunicazioni

EVAL_3KW_50V_PSU

Soluzione SMPS da 3 kW conforme alle specifiche del raddrizzatore Open Compute V3

Questo modello presenta una soluzione di sistema Infineon completa per un'unità di alimentazione (PSU) da 3 kW conforme alle specifiche del raddrizzatore OCP V3 per server e data center. L'alimentatore comprende un convertitore front-end AC-DC di tipo totem pole senza ponte seguito da un convertitore risonante LLC back-end DC-DC half-bridge isolato. Il convertitore di tipo totem pole front-end garantisce la correzione del fattore di potenza (PFC) e la distorsione armonica totale (THD). Il convertitore LLC garantisce l'isolamento di sicurezza e una tensione di uscita rigorosamente regolata. 

Caratteristiche principali

  • Alimentatore completo conforme alle specifiche del raddrizzatore Open Compute V3
  • Efficienza di picco molto elevata
  • PFC di tipo totem pole senza ponte con CoolSiC™
  • LLC half-bridge con CoolMOS™ e OptiMOS™
  • Controllo completamente digitale tramite microcontrollori XMCTM

Vantaggi

  • Fattore di forma del raddrizzatore (PSU) Open Compute V3 (dimensioni complessive)
  • 95% di efficienza di picco (ventola non inclusa) a 230 VCA
  • Efficienza elevatissima grazie alla combinazione di CoolSiC™, CoolMOS™ e OptiMOS™
  • Tempo di attesa di 20 ms a pieno carico
  • Test pre-compliance EMC di classe B

Applicazioni potenziali

  • Server e data center