Infineon

Tecnologia SiC da Infineon

CoolSiC™ Affidabilità senza pari. Varietà. Vantaggi del sistema.

Soluzioni SiC che consentono di realizzare progetti di prodotti radicalmente nuovi con il miglior rapporto costo-prestazioni.

In qualità di fornitore leader di sistemi di alimentazione con 20 anni di esperienza nello sviluppo della tecnologia in carburo di silicio (SiC), Infineon è pronta a rispondere alle esigenze legate a una generazione, trasmissione e consumo di energia più intelligenti ed efficienti.

Grazie all’ampio portafoglio di prodotti Infineon, conformi ai più elevati standard di qualità, si garantiscono affidabilità e una lunga vita utile del sistema. Con CoolSiC™, i clienti raggiungeranno anche gli obiettivi di efficienza più rigorosi, godendo al contempo di un calo nei costi operativi del sistema.

Tecnologia SiC di Infineon - Differenze principali

• Qualità e affidabilità senza pari

• Vantaggi del sistema

• Varietà

Affidabilità dell’ossido di gate - Un nuovo metro di riferimento

Per migliorare ulteriormente la sua tecnologia SiC, Infineon ha investito molto nei test dell’affidabilità dell’ossido in stato di attivazione dei MOSFET SiC schermati elettricamente e dello stress dell’ossido in stato di disattivazione per via delle condizioni del campo elettrico nei dispositivi di potenza SiC.

Oggi Infineon può affermare che:

  • Grazie allo spessore dell’ossido di gate ottimizzato, la nostra schermatura di ossido di gate è più efficiente rispetto ai produttori di MOSFET SiC concorrenti.
  • Il minor tasso di guasto dell’ossido di gate durante la vita utile e l’assenza di guasti prematuri è sinonimo della maggiore qualità possibile dell’ossido di gate per il cliente.

Corpo del Diodo - Una parte integrante

Tutti i MOSFET CoolSiC™ - sia quelli all’interno dei moduli SiC Infineon, sia quelli che fanno parte del portafoglio discreto SiC - hanno un corpo del diodo integrato. Non è necessario un ulteriore diodo Schottky. Il diodo è senza deriva.  È obbligatorio l’uso di rettifica sincrona (attivare il canale in modalità diodo dopo un breve periodo di inattività) per godere di basse perdite di conduzione.

Il corpo del diodo MOSFET CoolSiC™ è classificato per comunicazioni difficili ed è estremamente robusto. Dimostra di essere stabile a lungo termine e non deriva oltre i limiti del datasheet. Il concetto di trench MOSFET CoolSiC™ è ottimizzato per il funzionamento del corpo del diodo. Il fondo del trench integrato in una regione p+ migliora l’area del corpo del diodo.

Inserisci CoolSiC™ nella tua applicazione

Portafoglio ampio e diversificato

Infineon aggiunge continuamente prodotti basati su SiC - tra cui la rivoluzionaria MOSFET CoolSiC™ nella tecnologia trench - all'assortimento SiC già esistente. Oggi l’azienda offre uno dei portafogli di potenza più completi del settore, dai dispositivi a potenza ultra bassa fino a quelli ad alta tensione. Per andare ancora oltre, assicurando l’affidabilità delle soluzioni migliori, abbiamo oltrepassato i nostri limiti per ottimizzare l’offerta di prodotti basati su SiC per rispondere a specifici requisiti applicativi.

MOSFET CoolSiC™ – COMPONENTI DISCRETI

Codice prodottoSpecifichePacchettoApplicazioni

IMZA65R027M1H

CoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 27 mΩ

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TO-247-4
  • Server
  • Telecom
  • SMPS
  • Impianti a energia solare
  • Accumulo di energia e formazione della batteria
  • UPS
  • Carica EV
  • Unità di azionamento motori
  • Amplificatori classe D

IMZA65R048M1H

CoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 48 mΩ

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TO-247-4

IMZA65R072M1H

CoolSiC™ 650 V, MOSFET trench basato su SiC da 72 mΩ

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TO-247-4

IMW120R090M1H

CoolSiC™ 1200 V, MOSFET trench basato su SiC da 90 mΩ

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TO-247-3
  • Impianti a energia solare
  • Carica EV
  • Gestione dell’alimentazione (SMPS e UPS industriali)
  • Controllo motori e unità di azionamento

IMZ120R140M1H

CoolSiC™ 1200 V, MOSFET trench basato su SiC da 140 mΩ

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TO247-4

IMBF170R1K0M1

CoolSiC™ 1700 V, MOSFET trench basato su SiC da 1000 mΩ

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TO-263-7
  • Sistemi di accumulo dell’energia
  • Carica EV rapida
  • Motrici industriali
  • Gestione dell’alimentazione (SMPS e UPS industriali)
  • Impianti a energia solare

MOSFET CoolSiC™ - MODULI

Codice prodottoSpecifichePacchettoApplicazioni

F3L15MR12W2M1_B69

Modulo livello 3 EasyPACK™ 2B 1200 V, 15 mΩ con MOSFET CoolSiC™, sensore di temperatura NTC e tecnologia di contatto PressFIT

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AG-EASY2BM
  • Carica EV
  • Applicazioni di commutazione ad alta frequenza
  • Convertitore CC/CC
  • Impianti a energia solare
  • Sistemi UPS

F3L11MR12W2M1_B65

Modulo livello 3 EasyPACK™ 2B 1200 V, 11 mΩ in topologia Active NPC (ANPC) con MOSFET CoolSiC™, sensore di temperatura NTC e tecnologia di contatto PressFIT

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AG-EASY2BM
  • Applicazioni a 3 livelli
  • Carica EV
  • Applicazioni di commutazione ad alta frequenza
  • Impianti a energia solare
  • Sistemi di accumulo dell’energia

FS45MR12W1M1_B11

Modulo a sei pacchi EasyPACK™ 1B 1200 V, 45 mΩ con MOSFET CoolSiC™, NTC e tecnologia di contatto PressFIT

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AG-EASY1BM
  • Carica EV
  • Applicazioni di commutazione ad alta frequenza
  • Convertitore CC/CC
  • Impianti a energia solare
  • Sistemi UPS
  • Sistemi di accumulo dell’energia
  • Controllo motori e unità di azionamento

F4-23MR12W1M1_B11

Modulo a quattro pacchi EasyPACK™ 1B 1200 V, 23 mΩ con MOSFET CoolSiC™, NTC e tecnologia di contatto PressFIT

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AG-EASY1BM
  • Carica EV
  • Saldatura
  • Applicazioni di commutazione ad alta frequenza
  • Convertitore CC/CC
  • Impianti a energia solare
  • Sistemi UPS
  • Sistemi di accumulo dell’energia

FF2MR12KM1

Modulo mezzo ponte 62 mm 1200 V, 2 mΩ con MOSFET CoolSiC™

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AG-62MM-1
  • Impianti a energia solare
  • Sistemi UPS

FF3MR12KM1

Modulo mezzo ponte 62 mm 1200 V, 3 mΩ con MOSFET CoolSiC™

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AG-62MM-1
  • Impianti a energia solare
  • Sistemi UPS

IC gate driver EiceDRIVER™ MOSFET SiC

Codice prodottoSpecifichePacchettoApplicazioni

2EDS9265H

Gate driver doppio canale con isolamento da ingresso a uscita rinforzato, UVLO 13 V

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WB-DSO16 10,3 mm x 10,3 mm
  • Server
  • CC-CC Telecom
  • SMPS Industriale
  • Raddrizzamento sincrono
  • Convertitori brick
  • Sistemi UPS
  • Accumulo a batteria
  • Carica EV
  • Automazione industriale
  • Unità di azionamento motori
  • Attrezzi elettrici
  • Rete intelligente

2EDF9275F

Gate driver doppio canale con isolamento funzionale da ingresso a uscita, UVLO 13 V

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NB-DSO16 10 mm x 6 mm

CoolSiC™ MOSFET – COMPONENTE DISCRETO

Codice prodottoSpecifichePacchettoApplicazioni

AIMW120R045M1

MOSFET trench basato su SiC CoolSiC™ 1200 V, 45 mΩ, qualificato AEC-Q100/101

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TO-247-3-41
  • Caricatore di bordo / PFC
  • Booster / convertitore CC-CC
  • Inverter ausiliario

DIODI CoolSiC™ SCHOTTKY

AIDK08S65C5

Diodo CoolSiC™ Schottky 650 V / 8 A, diodo barriera basato su SiC, qualificato AEC-Q100/101

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D2PAK (TO263-2-1)
  • Caricatore di bordo / PFC
  • Booster / convertitore CC-CC
  • Inverter di trazione

AIDK10S65C5

Diodo CoolSiC™ Schottky 650 V / 10 A, diodo barriera basato su SiC qualificato AEC-Q100/101

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D2PAK (TO263-2-1)

AIDK12S65C5

Diodo CoolSiC™ Schottky 650 V / 12 A, diodo barriera basato su SiC, qualificato AEC-Q100/101

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D2PAK (TO263-2-1)

MOSFET CoolSiC™ – MODULO

Codice prodottoSpecifichePacchettoApplicazioni

FF08MR12W1MA1_B11A

EasyDUAL™ 1B 1200 V, modulo mezzo ponte con MOSFET CoolSiC™ automobilistico e PressFIT / NTC, qualificato AQG 324

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AG-EASY1B
  • Inverter di trazione
  • Inverter ausiliario
  • Convertitore CC/CC
Codice prodottoDescrizioneApplicazioni obiettivoVantaggi e caratteristiche principali

Scheda madre: EVAL_PS_SIC_DP_MAIN

MOSFET EVAL_PS_SIC_DP_MAIN CoolSiC™ 1200 V in piattaforma di valutazione TO-247 a 3-/4 pin (scheda madre)
Guida utente

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Soluzioni per impianti a energia solare, carica EV, UPS, alimentatori, controllo motore e unità di azionamento

Caratteristiche:

  • Migliore della sua categoria per commutazione e perdite di conduzione
  • Tensione di soglia elevata del benchmark, Vth > 4 V
  • Tensione gate spegnimento 0 V per un drive gate semplice e agevole
  • Ampio intervallo di tensione gate-sorgente
  • Corpo del diodo a bassa perdita e robusto, classificato per commutazione difficile
  • Perdite di commutazione di spegnimento indipendenti dalla temperatura

Vantaggi:

  • Altissima efficienza
  • Sforzo di raffreddamento ridotto
  • Funzionamento in più alta frequenza
  • Densità di potenza aumentata
  • Complessità di sistema ridotta

Scheda figlia: REF_PS_SIC_DP1

REF_PS_SIC_DP1 Scheda funzione morsetto Miller EVAL_PS_SIC_DP_MAIN (scheda figlia/drive card)

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Scheda figlia: REF_PS_SIC_DP2

REF_PS_SIC_DP2 Scheda funzione fornitura bipolare EVAL_PS_SIC_DP_MAIN (scheda figlia/drive card)

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EVAL-M5-E1B1245N-SIC

Scheda di valutazione azionamento motori MOSFET CoolSiC™ (uscita potenza motore max 7,5 kW) dotato di modulo di alimentazione a sei pacchi FS45MR12W1M1_B11 e gate driver isolato EiceDRIVER™ 1200 V 1EDI20H12AH
Nota applicativa

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Controllo motori e unità di azionamento

Caratteristiche:

  • Tensione di ingresso 340~480 VCA
  • Filtro EMI di bordo
  • Isolamento base tra potenza e parte segnale
  • Rilevamento corrente isolata con Δ∑-ADC
  • Rilevamento isolato di tensione di collegamento cc da Δ∑-ADC
  • Uscita del termistore
  • Protezione hardware da sovraccarico, cortocircuito e sovratemperatura
  • Tecnologia affidabile con gate driver, stabile in caso di tensione negativa e transitori

Vantaggi:

  • MADK ottimizzato per GPD / azionamenti servo con fsw molto alti
  • Dotato di tutti i gruppi di assemblaggio per controllo a orientamento di campo senza sensori (FOC)

EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC

Unità PFC totem-pole bidirezionale CCM 3300 W CCM che utilizza CoolSiC™ 650 V, CoolMOS™ C7 600 V e controllo digitale tramite microcontrollore XMC™

Nota applicativa

Modello 3D

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Server di fascia alta, centro dati, telecom

Caratteristiche:

  • PFC totem-pole bridgeless ad alta efficienza
  • Abilitato da MOSFET trench CoolSiC™ 650 V
  • Controllato in modo digitale tramite XMC1404
  • Capacità bidirezionale (funzionamento CC-CA)

Vantaggi:

  • Efficienza prossima al 99%
  • Densità di potenza elevata
  • Fattore di forma compatto (72 W/in3)
  • Basso numero di componenti
  • Funzionamento bidirezionale (controllo digitale)

Criteri per la selezione del driver in base alle caratteristiche del MOSFET CoolSiC™

Circuiti gate driver e IC dovrebbero supportare tutte le caratteristiche MOSFET CoolSiC™ (come da datasheet). Le caratteristiche consigliabili includono:

  • Stretta corrispondenza del ritardo di propagazione
  • Filtri di ingresso precisi
  • Ampio intervallo di fornitura lato uscita
  • Capacità di tensione gate negativa
  • Capacità CMTI estesa
  • Miller clamp attivo
  • Protezione DESAT

Tutte le caratteristiche di cui sopra vanno prese in considerazione dagli ingegneri Infineon al fine di rendere la scelta del giusto driver quanto più facile possibile per i clienti che optano per un CoolSiC™.
I MOSFET CoolSiC™ possono anche essere azionati con una tensione del gate di disattivazione di 0 V, ciò li rende i gate drive più semplici tra i MOSFET SiC attualmente disponibili in commercio. Semplifica la circuiteria del gate drive, aiuta a sbarazzarsi dell’isolamento da alta tensione e, al contempo, riduce il numero di componenti. Degni di nota sono l’elevata robustezza e l’immunità da attivazione parassita indesiderata, data l’aumentata soglia dei MOSFET e il loro rapporto di capacitanza ottimizzato.

Non è necessario un azionamento troppo complicato del MOSFET CoolSiC™. In effetti, non sono necessari né snubber della tensione di scarico, né condensatore gate-sorgente.

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