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G3R60MT07K
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 37 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
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ProduttoreGENESIC
Cod. produttoreG3R60MT07K
Codice Prodotto4218049
Gamma ProdottiG3R Series
Datasheet tecnico
196 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreGENESIC
Cod. produttoreG3R60MT07K
Codice Prodotto4218049
Gamma ProdottiG3R Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id37A
Tensione Drain Source Vds750V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.06ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin4Pin
Tensione di test di Rds(on)15V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Dissipazione di potenza127W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiG3R Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Panoramica del prodotto
G3R60MT07K is a N-channel enhancement mode silicon carbide MOSFET in a 4 pin TO-247 package. Typical applications include solar (PV) inverters, server & telecom power supplies, Uninterruptible Power Supplies (UPS), EV / HEV charging, DC-DC converters, Switched Mode Power Supplies (SMPS), energy storage and battery charging and Class D amplifiers.
- G3R™ Technology for enhanced performance and reliability
- Softer RDS(ON) v/s temperature dependency for stable operation
- LoRing™ – Electromagnetically optimized design for reduced EMI
- Smaller RG(INT) and lower Qg for efficient switching
- Low device capacitances for faster response
- Superior cost-performance index
- Robust body diode with low VF and low QRR
- 100% avalanche (UIL) tested
- Low conduction losses at all temperatures, reduced ringing
- Faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
37A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.06ohm
Numero di pin
4Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
750V
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
15V
Dissipazione di potenza
127W
Gamma di prodotti
G3R Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Switzerland
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Switzerland
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0062