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contribuisce da tempo al progresso della cultura attraverso la fornitura di prodotti di buona qualità e di una produzione basata sugli obiettivi aziendali stabiliti fin dalla nostra fondazione. Sebbene il contesto imprenditoriale sia cambiato radicalmente, questa idea è rimasta invariata, tramandata di generazione in generazione come parte del nostro DNA. Per riaffermare questo obiettivo aziendale e chiarire la nostra missione all'interno della nuova infrastruttura sociale, abbiamo formulato una dichiarazione e una visione manageriale. Read More

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MOSFET di quarta generazione

MOSFET SiC a bassa RDSon, commutazione rapida, tensione gate-source 15 V e 18 V

Dispositivo di alimentazione intelligente BV1LE / BM2LE

Interruttori intelligenti a lato basso AEC-Q100 a 1 e 2 canali, 40 V

Serie ECO GAN - GNP

EcoGaN™, FET a 650 V in modalità E in nitruro di gallio (GaN)

Serie Nano Cap

Nano Cap™, QuiCur™ - Regolatori fissi per il settore automotive

Best Sellers
BD9G500UEFJ-LAE2 4069548

Ingresso da 7 V a 76 V, MOSFET high-side integrato da 5 A, convertitore DC/DC buck singolo

1200 V 15 A, FRD integrato, IGBT a trincea con arresto di campo per autoveicoli

RU1J002YNTCL 2706684

Drive Nch MOSFET da 0,9 V. Adatto per un basso consumo di corrente

1SS355VMTE-17 2916477 / 2913841

diodo di commutazione ad alta velocità, 80 V, 100 mA

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Diodi/MOSFET SiC

Elevata tensione di rottura, consumo energetico ridotto e switching ad alta velocità non sono forniti dai tradizionali dispositivi al silicio. MOSFET SiC 1700 V/3,7 A, 1200 V da 10 a 40A, 650 V/29 A SBD SiC 1200 V/da 5 A a 40 A, 650 V/da 6 A a 40 A

Circuiti integrati driver gate H-bridge

Contengono una funzione variabile VREF che contribuisce a ridurre il consumo di potenza e aumentare l'efficienza. Inoltre, numerosi circuiti di protezione integrati (ovvero da arresto termico, sovracorrente, sovratensione) proteggono il circuito integrato e il carico dai danni assicurando al contempo un alto livello di affidabilità. Compatibile con ingressi di segnale PWM (100 kHz max), 7V: Serie Bd621x, 18 V: Serie BD622x, 36 V: Serie BD623x

LED a chip

LED sottili e ultracompatti (dimensione 1006, t=0,2 mm) serie PICOLED™ leader del settore ottimizzati per dispositivi portatili quali smartphone e tecnologia indossabile. LED standard serie EXCELED ad alta luminosità e affidabilità con tecnologia del dispositivo originale.

Memoria per uso automobilistico

Gli EEPROM seriali ROHM sono memorie non volatili ottimizzate per la conservazione dei dati e disponibili in un'ampia gamma di interfacce, tipi di contenitori e capacità di storage.

Driver lcd

I driver per LCD ROHM sono ideali per applicazioni con display di piccole dimensioni. Adatti per display da 48 a 528 segmenti. Disponibili anche con certificazione AEC-Q

BD9G101G-TR

Il BD9G101G è un regolatore switching con MOSFET di potenza da 42 V high-side interno integrato. Offre un ingresso CC di 0,5 A con un contenitore SOT-23 di piccole dimensioni

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