TOSHIBA Transistori Bipolari a Gate Isolato (IGBT)

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GT50JR22(STA1,E,S)
GT50JR22(STA1,E,S) - IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin

3872260

IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin

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GT20N135SRA,S1E(S
GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin

3872259

IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin

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GT40WR21,Q(O - IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin

4062479

IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin

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GT30J65MRB,S1E(S - IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin

4153421

IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin

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GT30N135SRA,S1E(S
GT30N135SRA,S1E(S - IGBT, 60 A, 2.15 V, 348 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin

3941898

IGBT, 60 A, 2.15 V, 348 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin

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