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Dissipazione di Potenza Pd

:

52W

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Confronta					Prezzo per		Quantità

	SIS126DN-T1-GE3	3128846RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET di potenza canale N 80 V 45.1 A 0.0085 ohm PowerPAK 1212		Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,558 500+ € 0,463 1000+ € 0,386 5000+ € 0,346	Min: 100 / Mult: 1	canale N	canale N	80V	45.1A	0.0085ohm	0.0085ohm	PowerPAK 1212	montaggio superficiale (SMT)	10V	3.5V	52W	52W	8Pin	150°C	TrenchFET
	SISHA04DN-T1-GE3	3128847RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET di potenza canale N 30 V 40 A 0.00215 ohm PowerPAK 1212 montaggio superficiale (SMT)		Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,557 500+ € 0,425 1000+ € 0,363 5000+ € 0,320	Min: 100 / Mult: 1	canale N	canale N	30V	40A	0.00215ohm	0.0018ohm	PowerPAK 1212	montaggio superficiale (SMT)	10V	2.2V	52W	52W	8Pin	150°C	TrenchFET
	BSC146N10LS5ATMA1	3267833RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET di potenza canale N 100 V 44 A 0.0146 ohm TDSON montaggio superficiale (SMT)		Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	50+ € 0,644 250+ € 0,583 1000+ € 0,516 3000+ € 0,512	Min: 100 / Mult: 5	canale N	canale N	100V	44A	0.0146ohm	0.0122ohm	TDSON	montaggio superficiale (SMT)	10V	1.7V	52W	52W	8Pin	150°C	OptiMOS 5
	SIS888DN-T1-GE3	3929251RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET di potenza canale N 150 V 20.2 A 0.058 ohm PowerPAK 1212		Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,962 500+ € 0,770 1000+ € 0,655 5000+ € 0,590	Min: 100 / Mult: 1	canale N	canale N	150V	20.2A	0.058ohm	0.048ohm	PowerPAK 1212	montaggio superficiale (SMT)	10V	4.2V	52W	52W	8Pin	150°C	ThunderFET Series
	RD3U060CNTL1	3934708RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ROHM MOSFET di potenza canale N 250 V 6 A 0.41 ohm TO-252 montaggio superficiale (SMT)		Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,773 500+ € 0,579 1000+ € 0,536	Min: 100 / Mult: 1	canale N	canale N	250V	6A	0.41ohm	0.41ohm	TO-252	montaggio superficiale (SMT)	10V	5V	52W	52W	3Pin	150°C	-
	RD3S075CNTL1	3934704RL Data Sheet RoHS	ROHM MOSFET di potenza canale N 190 V 7.5 A 0.24 ohm TO-252 montaggio superficiale (SMT)		Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 1,090 500+ € 0,902 1000+ € 0,789 5000+ € 0,726	Min: 100 / Mult: 1	canale N	canale N	190V	7.5A	0.24ohm	0.24ohm	TO-252	montaggio superficiale (SMT)	10V	2.5V	52W	52W	3Pin	150°C	-
	SISA12BDN-T1-GE3	3927785RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET di potenza canale N 30 V 87 A 0.0043 ohm PowerPAK 1212 montaggio superficiale (SMT)		Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 0,537 500+ € 0,391 1000+ € 0,351 5000+ € 0,319	Min: 100 / Mult: 1	canale N	canale N	30V	87A	0.0043ohm	0.0027ohm	PowerPAK 1212	montaggio superficiale (SMT)	10V	2.4V	52W	52W	8Pin	150°C	TrenchFET Gen IV Series
	ISC0603NLSATMA1	3794542RL Data Sheet RoHS	INFINEON MOSFET di potenza canale N 80 V 56 A 0.0085 ohm TDSON montaggio superficiale (SMT)		Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	500+ € 0,911 1000+ € 0,791 5000+ € 0,645	Min: 500 / Mult: 1	canale N	canale N	80V	56A	0.0085ohm	0.0085ohm	TDSON	montaggio superficiale (SMT)	10V	1.6V	52W	52W	8Pin	150°C	OptiMOS 5
	STL15N65M5	3129713RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	STMICROELECTRONICS MOSFET di potenza canale N 650 V 10 A 0.335 ohm PowerFLAT montaggio superficiale (SMT)		Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 1,530 500+ € 1,250 1000+ € 1,160	Min: 100 / Mult: 1	canale N	canale N	650V	10A	0.335ohm	0.335ohm	PowerFLAT	montaggio superficiale (SMT)	10V	4V	52W	52W	8Pin	150°C	MDmesh M5
	FCD1300N80Z	3253669RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ONSEMI MOSFET di potenza canale N 800 V 4 A 1.05 ohm TO-252 (DPAK) montaggio superficiale (SMT)		Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio	100+ € 1,120 500+ € 0,929 1000+ € 0,893 5000+ € 0,849	Min: 100 / Mult: 1	canale N	canale N	800V	4A	1.05ohm	1.05ohm	TO-252 (DPAK)	montaggio superficiale (SMT)	10V	4.5V	52W	52W	3Pin	150°C	SuperFET II

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