ROHM Semiconduttori - Discreti

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Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
UMH3NTN
UMH3NTN - Transistore digit/prepolarizz bipolare, doppio, NPN doppio, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm

1680404

Transistore digit/prepolarizz bipolare, doppio, NPN doppio, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm

ROHM

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doppio NPN NPN doppio 50V 50V 100mA - 100mA 4.7kohm - - SOT-363 SOT-363 6 Pin montaggio superficiale (SMT) 150mW 150°C 100hFE UMH3N Series -
SST2222AT116
SST2222AT116 - Transistore singolo bipolare (BJT), NPN, 40 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)

1680374

Transistore singolo bipolare (BJT), NPN, 40 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)

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- NPN - - - - 150mA - - - SOT-23 - - montaggio superficiale (SMT) 200mW 150°C 100hFE - -
RB051L-40TE25
RB051L-40TE25 - Diodo Schottky per piccoli segnali, singolo, 40 V, 3 A, 450 mV, 70 A, 125 °C

1680016

Diodo Schottky per piccoli segnali, singolo, 40 V, 3 A, 450 mV, 70 A, 125 °C

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- - - - - - - - - - - - - - - 125°C - RB051 -
RB160M-40TR
RB160M-40TR - Diodo Schottky per piccoli segnali, singolo, 40 V, 1 A, 510 mV, 30 A, 150 °C

1680023

Diodo Schottky per piccoli segnali, singolo, 40 V, 1 A, 510 mV, 30 A, 150 °C

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- - - - - - - - - - - - - - - 150°C - RB160 -
DTC114EKAT146
DTC114EKAT146 - Transistore digit/prepolarizz bipolare, digitale, singolo NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm

1680230

Transistore digit/prepolarizz bipolare, digitale, singolo NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm

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NPN singolo singolo NPN 50V 50V 100mA - 100mA 10kohm 10kohm - SC-59 SC-59 3 Pin montaggio superficiale (SMT) 200mW 150°C 30hFE DTC114E Series -
RB160L-40TE25
RB160L-40TE25 - Diodo Schottky per piccoli segnali, singolo, 40 V, 1 A, 550 mV, 70 A, 150 °C

1680022

Diodo Schottky per piccoli segnali, singolo, 40 V, 1 A, 550 mV, 70 A, 150 °C

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- - - - - - - - - - - - - - - 150°C - RB160 -
RF071M2STR
RF071M2STR - Diodo rapido/ultra rapido, 200 V, 700 mA, singolo, 850 mV, 25 ns, 15 A

1680040

Diodo rapido/ultra rapido, 200 V, 700 mA, singolo, 850 mV, 25 ns, 15 A

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- - - - - - - - - - - - 2 Pin - - 150°C - RF071 -
RB160M-90TR
RB160M-90TR - Diodo Schottky per piccoli segnali, singolo, 90 V, 1 A, 730 mV, 30 A, 150 °C

1525482

Diodo Schottky per piccoli segnali, singolo, 90 V, 1 A, 730 mV, 30 A, 150 °C

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- - - - - - - - - - - - - - - 150°C - RB160 -
RR264M-400TR
RR264M-400TR - Diodo a recupero standard, 400 V, 1 A, singolo, 1.1 V, 25 A

1525525

Diodo a recupero standard, 400 V, 1 A, singolo, 1.1 V, 25 A

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- - - - - - - - - - - - - - - 150°C - RR264 -
1SS355TE-17
1SS355TE-17 - Diodo per piccoli segnali, commutazione ad alta velocità, 90 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 225 mA

1525435

Diodo per piccoli segnali, commutazione ad alta velocità, 90 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 225 mA

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- - - - - - - - - - - - - - - 150°C - 1SS35 -
RTR040N03TL
RTR040N03TL - MOSFET di potenza, bassa tensione di soglia del gate, canale N, 30 V, 4 A, 0.066 ohm, TSMT

1525562

MOSFET di potenza, bassa tensione di soglia del gate, canale N, 30 V, 4 A, 0.066 ohm, TSMT

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- canale N - - - - - - - - TSMT - - montaggio superficiale (SMT) 1W 150°C - - -
QS6M3TR
QS6M3TR - MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm

1525473

MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm

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- canali N e P complementari - - - - - - - - TSMT - - montaggio superficiale (SMT) - 150°C - - -
RB161M-20TR
RB161M-20TR - Diodo Schottky per piccoli segnali, singolo, 25 V, 1 A, 350 mV, 30 A, 125 °C

1525484

Diodo Schottky per piccoli segnali, singolo, 25 V, 1 A, 350 mV, 30 A, 125 °C

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- - - - - - - - - - - - - - - 125°C - RB161 -
RB160MM-30TFTR
RB160MM-30TFTR - Raddrizzatore Schottky, 30 V, 1 A, singolo, SOD-123FL, 2 Pin, 480 mV

2693987

Raddrizzatore Schottky, 30 V, 1 A, singolo, SOD-123FL, 2 Pin, 480 mV

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5+ € 0,489 10+ € 0,399 100+ € 0,272 500+ € 0,204 1000+ € 0,131 5000+ € 0,128 Altri prezzi...

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- - - - - - - - - - - - - - - 125°C - - AEC-Q101
RBR2MM40BTFTR
RBR2MM40BTFTR - Raddrizzatore Schottky, AEC-Q101, 40 V, 2 A, singolo, SOD-123FL, 2 Pin, 560 mV

2581587

Raddrizzatore Schottky, AEC-Q101, 40 V, 2 A, singolo, SOD-123FL, 2 Pin, 560 mV

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- - - - - - - - - - - - - - - 150°C - - AEC-Q101
RSH070P05GZETB
RSH070P05GZETB - MOSFET di potenza, canale P, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, montaggio superficiale (SMT)

2706666

MOSFET di potenza, canale P, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, montaggio superficiale (SMT)

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- canale P - - - - - - - - SOP - - montaggio superficiale (SMT) 2W - - - -
RK7002BMT116
RK7002BMT116 - MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)

2706627

MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)

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5+ € 0,197 10+ € 0,167 100+ € 0,0884 500+ € 0,0583 1000+ € 0,0457 5000+ € 0,0331 Altri prezzi...

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Min: 5 Mult: 5
- canale N - - - - - - - - SOT-23 - - montaggio superficiale (SMT) 350mW 150°C - - -
KDZVTR5.1B
KDZVTR5.1B - Diodo zener singolo, planare epitassiale, 5.1 V, 1 W, SOD-123, 2 Pin, 150 °C

2536465

Diodo zener singolo, planare epitassiale, 5.1 V, 1 W, SOD-123, 2 Pin, 150 °C

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5+ € 0,376 10+ € 0,308 100+ € 0,21 500+ € 0,157 1000+ € 0,107 5000+ € 0,094 Altri prezzi...

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- - - - - - - - - - - - - - 1W 150°C - KDZV -
RQ3E120ATTB
RQ3E120ATTB - MOSFET di potenza, canale P, 30 V, 39 A, 0.0061 ohm, HSMT, montaggio superficiale (SMT)

2706633

MOSFET di potenza, canale P, 30 V, 39 A, 0.0061 ohm, HSMT, montaggio superficiale (SMT)

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1+ € 0,80 10+ € 0,708 100+ € 0,543 500+ € 0,429 1000+ € 0,311 5000+ € 0,272 Altri prezzi...

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- canale P - - - - - - - - HSMT - - montaggio superficiale (SMT) 20W 150°C - - -
RUC002N05HZGT116
RUC002N05HZGT116 - MOSFET di potenza, canale N, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)

2769554

MOSFET di potenza, canale N, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)

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- canale N - - - - - - - - SOT-23 - - montaggio superficiale (SMT) 350mW 150°C - - AEC-Q101
RYC002N05T316
RYC002N05T316 - MOSFET di potenza, canale N, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)

2706700

MOSFET di potenza, canale N, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)

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- canale N - - - - - - - - SOT-23 - - montaggio superficiale (SMT) 350mW 150°C - - -
BZX84C12VLFHT116
BZX84C12VLFHT116 - Diodo zener singolo, 12 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin, 150 °C, montaggio superficiale

2772417

Diodo zener singolo, 12 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin, 150 °C, montaggio superficiale

ROHM

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- - - - - - - - - - - - - - 250mW 150°C - - AEC-Q101
BZX84C30VLFHT116
BZX84C30VLFHT116 - Diodo zener singolo, 30 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin, 150 °C, montaggio superficiale

2693996

Diodo zener singolo, 30 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin, 150 °C, montaggio superficiale

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Min: 5 Mult: 5
- - - - - - - - - - - - - - 250mW 150°C - - AEC-Q101
SST3904HZGT116
SST3904HZGT116 - Transistore singolo bipolare (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23

2764540

Transistore singolo bipolare (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23

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- NPN - - - - 200mA - - - SOT-23 - - montaggio superficiale (SMT) 350mW 150°C 30hFE - AEC-Q101
1SS356FHTW11
1SS356FHTW11 - Diodo per piccoli segnali, singolo, 100 mA, 1 V

2772378

Diodo per piccoli segnali, singolo, 100 mA, 1 V

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- - - - - - - - - - - - - - - 125°C - - AEC-Q101