Semiconduttori - Discreti

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ZLLS500
ZLLS500 - Diodo Schottky per piccoli segnali, singolo, 40 V, 700 mA, 1 V, 13 A, 150 °C

9525670

Diodo Schottky per piccoli segnali, singolo, 40 V, 700 mA, 1 V, 13 A, 150 °C

DIODES INC.

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40V 700mA 1V 13A 150°C 3Pins 3ns
VS-40HF40
VS-40HF40 - Modulo di diodi, 400 V, 40 A, 1.3 V, DO-5, 2 Pin

365646

Modulo di diodi, 400 V, 40 A, 1.3 V, DO-5, 2 Pin

VISHAY

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400V 40A 1.3V 570A 190°C 2Pins -
IRFB3207PBF
IRFB3207PBF - MOSFET di potenza, canale N, 75 V, 180 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)

9052070

MOSFET di potenza, canale N, 75 V, 180 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)

INFINEON

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1+ € 2,53 10+ € 2,06 100+ € 1,83 500+ € 1,74 1000+ € 1,64

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BAS70-06W,115
BAS70-06W,115 - Diodo Schottky per piccoli segnali, doppio diodo, anodo comune, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C

8734453

Diodo Schottky per piccoli segnali, doppio diodo, anodo comune, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C

NEXPERIA

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70V 70mA 1V 100mA 150°C 3Pins -
CRS05
CRS05 - Raddrizzatore Schottky, miniatura, 30 V, 1 A, singolo, 3-2A1A, 2 Pin, 450 mV

1300794

Raddrizzatore Schottky, miniatura, 30 V, 1 A, singolo, 3-2A1A, 2 Pin, 450 mV

TOSHIBA

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30V 1A 450mV 30A 150°C 2Pins -
IPP041N04NGXKSA1
IPP041N04NGXKSA1 - MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, foro passante (THT)

1775620

MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, foro passante (THT)

INFINEON

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1+ € 1,52 10+ € 1,15 100+ € 0,849 500+ € 0,719 1000+ € 0,55 5000+ € 0,525 Altri prezzi...

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IRF740LCPBF
IRF740LCPBF - MOSFET di potenza, canale N, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)

8648476

MOSFET di potenza, canale N, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)

VISHAY

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1+ € 3,05 10+ € 2,35 100+ € 1,67 500+ € 1,66 1000+ € 1,37 5000+ € 1,31 Altri prezzi...

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BU2006-E3/45
BU2006-E3/45 - Raddrizzatore a ponte, monofase, 600 V, 20 A, SIP, 4 Pin, 1.05 V

1815622

Raddrizzatore a ponte, monofase, 600 V, 20 A, SIP, 4 Pin, 1.05 V

VISHAY

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1+ € 3,79 10+ € 2,04 100+ € 1,73 500+ € 1,63 1000+ € 1,60

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600V 20A 1.05V 240A 150°C 4Pins -
FDMS86500L
FDMS86500L - MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 80 A, 0.0021 ohm, Power 56, montaggio superficiale (SMT)

2083321

MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 80 A, 0.0021 ohm, Power 56, montaggio superficiale (SMT)

ONSEMI

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1+ € 2,88 10+ € 2,24 100+ € 1,81 500+ € 1,50

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SIHU7N60E-GE3
SIHU7N60E-GE3 - MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-251, foro passante (THT)

2283639

MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-251, foro passante (THT)

VISHAY

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1+ € 1,20 10+ € 1,05 100+ € 0,871 500+ € 0,781 1000+ € 0,721 5000+ € 0,714 Altri prezzi...

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BT138-800,127
BT138-800,127 - Triac, 800 V, 12 A, TO-220, 1.5 V, 95 A, 30 mA

1081320

Triac, 800 V, 12 A, TO-220, 1.5 V, 95 A, 30 mA

WEEN SEMICONDUCTORS

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1+ € 1,10 10+ € 0,859 100+ € 0,617 500+ € 0,523 1000+ € 0,401 5000+ € 0,378 Altri prezzi...

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BU941ZPFI
BU941ZPFI - transistore Darlington, Darlington, NPN, 350 V, 65 W, 15 A, TO-3PF, 3 Pin

1084451

transistore Darlington, Darlington, NPN, 350 V, 65 W, 15 A, TO-3PF, 3 Pin

STMICROELECTRONICS

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1+ € 3,23 10+ € 2,58 100+ € 2,11 500+ € 1,93 1000+ € 1,86

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TYN616RG
TYN616RG - Tiristore, 600 V, 25 mA, 10 A, 16 A, TO-220AB, 3 Pin

2341674

Tiristore, 600 V, 25 mA, 10 A, 16 A, TO-220AB, 3 Pin

STMICROELECTRONICS

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Unità

1+ € 0,882 10+ € 0,794 100+ € 0,667 500+ € 0,626 1000+ € 0,608 5000+ € 0,596 Altri prezzi...

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BSS84AKMB,315
BSS84AKMB,315 - MOSFET di potenza, canale P, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, montaggio superficiale (SMT)

2498571

MOSFET di potenza, canale P, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, montaggio superficiale (SMT)

NEXPERIA

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5+ € 0,317 10+ € 0,22 100+ € 0,083 500+ € 0,065 1000+ € 0,047 5000+ € 0,046 Altri prezzi...

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BAS16E6433HTMA1
BAS16E6433HTMA1 - Diodo per piccoli segnali, singolo, 80 V, 250 mA, 1.25 V, 4 ns, 4.5 A

2443486

Diodo per piccoli segnali, singolo, 80 V, 250 mA, 1.25 V, 4 ns, 4.5 A

INFINEON

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5+ € 0,294 10+ € 0,207 100+ € 0,0953 500+ € 0,0706 1000+ € 0,0459 5000+ € 0,045 Altri prezzi...

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80V 250mA 1.25V 4.5A 150°C 3Pins 4ns
BFP740ESDH6327XTSA1
BFP740ESDH6327XTSA1 - Transistore RF bipolare, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343

2432736

Transistore RF bipolare, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343

INFINEON

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1+ € 0,518 10+ € 0,412 100+ € 0,282 500+ € 0,238 1000+ € 0,162 5000+ € 0,151 Altri prezzi...

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BFR182WH6327XTSA1
BFR182WH6327XTSA1 - Transistore RF bipolare, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323

2480679

Transistore RF bipolare, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323

INFINEON

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5+ € 0,384 10+ € 0,237 100+ € 0,0983 500+ € 0,0772 1000+ € 0,056 5000+ € 0,049 Altri prezzi...

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MM3Z24VT1G
MM3Z24VT1G - Diodo zener singolo, 24 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin, 150 °C, montaggio superficiale

2463506

Diodo zener singolo, 24 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin, 150 °C, montaggio superficiale

ONSEMI

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2441303 in Full Reel
2463506RL in Re-reeling

5+ € 0,192 10+ € 0,155 100+ € 0,0574 500+ € 0,0563

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- - - - 150°C 2Pins -
FCPF260N60E
FCPF260N60E - MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 15 A, 0.22 ohm, TO-220F, foro passante (THT)

2254240

MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 15 A, 0.22 ohm, TO-220F, foro passante (THT)

ONSEMI

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Unità

1+ € 2,34 10+ € 1,83 100+ € 1,61 500+ € 1,58 1000+ € 1,57

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- - - - 150°C 3Pins -
PSMN7R6-60PS,127
PSMN7R6-60PS,127 - MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 92 A, 0.0059 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)

1785627

MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 92 A, 0.0059 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)

NEXPERIA

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Unità

1+ € 2,38 10+ € 1,13 100+ € 0,937 500+ € 0,918 1000+ € 0,904

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- - - - 175°C 3Pins -
BAT54ATA
BAT54ATA - Diodo Schottky per piccoli segnali, doppio diodo, anodo comune, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA

9526498

Diodo Schottky per piccoli segnali, doppio diodo, anodo comune, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA

DIODES INC.

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Articolo sostitutivo suggerito per:9526498
9526498RL in Re-reeling

5+ € 0,326 10+ € 0,216 100+ € 0,0881 500+ € 0,066 1000+ € 0,0439 5000+ € 0,0367 Altri prezzi...

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30V 200mA 400mV 600mA 125°C 3Pins 5ns
2ST31A
2ST31A - Transistore singolo bipolare (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, foro passante (THT)

2807150

Transistore singolo bipolare (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, foro passante (THT)

STMICROELECTRONICS

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Unità

1+ € 1,11 10+ € 0,939 100+ € 0,683 500+ € 0,564 1000+ € 0,416 5000+ € 0,408 Altri prezzi...

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- - - - 150°C 3Pins -
FS30R06VE3BOMA1
FS30R06VE3BOMA1 - Modulo IGBT, Six Pack [ponte intero], 34 A, 1.55 V, 88 W, 150 °C, Module

2781260

Modulo IGBT, Six Pack [ponte intero], 34 A, 1.55 V, 88 W, 150 °C, Module

INFINEON

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Unità

1+ € 29,56 5+ € 26,65 10+ € 23,74 50+ € 23,36 100+ € 22,97

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- - - - 150°C - -
SST3904HZGT116
SST3904HZGT116 - Transistore singolo bipolare (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23

2764540

Transistore singolo bipolare (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23

ROHM

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2764540RL in Re-reeling

5+ € 0,207 10+ € 0,143 100+ € 0,0597 500+ € 0,0457 1000+ € 0,0316 5000+ € 0,0307 Altri prezzi...

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- - - - 150°C 3Pins -
MBR3045CT
MBR3045CT - Raddrizzatore Schottky, 45 V, 30 A, doppio diodo, catodo comune, TO-220AB, 3 Pin, 550 mV

2677442

Raddrizzatore Schottky, 45 V, 30 A, doppio diodo, catodo comune, TO-220AB, 3 Pin, 550 mV

TAIWAN SEMICONDUCTOR

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Unità

1+ € 1,65 10+ € 1,27 100+ € 0,963 500+ € 0,815 1000+ € 0,636 5000+ € 0,624 Altri prezzi...

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45V 30A 550mV 250A 150°C 3Pins -