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AS7C31026B-12TCN

SRAM, 1 Mbit, 64K x 16bit, Da 3V a 3,6V, TSOP, 44 Pin, 12 ns

AS7C31026B-12TCN - SRAM, 1 Mbit, 64K x 16bit, Da 3V a 3,6V, TSOP, 44 Pin, 12 ns

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Cod. produttore:
AS7C31026B-12TCN
Codice Prodotto
1562913
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Panoramica del prodotto

The AS7C31026B-12TCN is a 3.3V 64k x 16-bit high-performance CMOS Static Random Access Memory (SRAM) device organized as 65536 words x 16-bit. It is designed for memory applications where fast data access, low power and simple interfacing are desired. A write cycle is accomplished by asserting write enable and chip enable. Data on the input pins I/O0 through I/O15 is written on the rising edge of WE or CE. To avoid bus contention, external devices should drive I/O pins only after outputs have been disabled with output enable or write enable. A read cycle is accomplished by asserting output enable and chip enable with write enable high. The chips drive I/O pins with the data word referenced by the input address. When either chip enable or output enable is inactive or write enable is active, output drivers stay in high-impedance mode. The device provides multiple center power and ground pins and separate byte enable controls, allowing individual bytes to be written and read.
  • Center power and ground pins for low noise
  • Low power consumption - ACTIVE - 288mW/maximum at 10ns
  • Low power consumption - STANDBY - 18mW/maximum CMOS I/O
  • 6 T 0.18u CMOS technology
  • TTL-compatible, 3-state I/O
  • Latch-up current >=200mA

Applicazioni

Computers & Computer Peripherals, Commercial

Informazioni sui prodotti

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:
1Mbit

:
64K x 16bit

:
Da 3V a 3,6V

:
TSOP

:
44Pin

:
12ns

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0°C

:
70°C

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-

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Documenti tecnici (1)

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