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SI2302DDS-T1-GE3
SI2302DDS-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canale N, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V

2400359

VISHAY - Transistor MOSFET, Canale N, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V

MOSFET, CANALE N, 20V, 2.6A, SOT-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:2.6A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.045ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):4.5V; Tensione di Soglia Vgs:-; Dissipazion

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    SI2369DS-T1-GE3
    SI2369DS-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canale P, -7.6 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V

    2400360

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canale P, -7.6 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V

    MOSFET, CANALE P, -30V, -7.6A, SOT-23-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua di Drain Id:-7.6A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.024ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):-10V; Tensione di Soglia Vgs:-; Dissipa

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    5+ € 0,332 25+ € 0,317 100+ € 0,216 250+ € 0,198 500+ € 0,179 1000+ € 0,125 5000+ € 0,105 Altri prezzi...

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    Min: 5 Mult: 5
    SI2323DDS-T1-GE3
    SI2323DDS-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canale P, -5.3 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -1 V

    2646365

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canale P, -5.3 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -1 V

    MOSFET, CA-P,-20V, -5,3A SOT-23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua di Drain Id:-5.3A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.032ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):-4.5V; Tensione di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione

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    SI1317DL-T1-GE3
    SI1317DL-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canale P, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV

    2056676

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canale P, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV

    MOSFET, CAN P, DIODO, 20V, 1.4A, SOT323; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua di Drain Id:-1.4A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.125ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):-4.5V; Tensione di Soglia Vgs:450mV; Di

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    Min: 5 Mult: 5
    SI7149ADP-T1-GE3
    SI7149ADP-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canale P, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -2.5 V

    2646390

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canale P, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -2.5 V

    MOSFET, CANALE P -30V, -50A, POWERPAK SO; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua di Drain Id:-50A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.0042ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):-10V; Tensione di Soglia Vgs:-2.5V; Di

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    SI4288DY-T1-GE3
    SI4288DY-T1-GE3 - MOSFET Duale, Canale N Doppio, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V

    2056718

    VISHAY - MOSFET Duale, Canale N Doppio, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V

    MOSFET, CH NN, DIODO, 40V, 9.2A, SO8; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua di Drain Id:9.2A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.0165ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:1.2V; Di

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    5+ € 1,14 25+ € 1,03 100+ € 0,787 250+ € 0,733 500+ € 0,678 1000+ € 0,526 5000+ € 0,513 Altri prezzi...

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    Min: 5 Mult: 5
    SI5403DC-T1-GE3
    SI5403DC-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canale P, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V

    2646386

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canale P, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V

    MOSFET, CA-P,-30V, 6A CHIFFET; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua di Drain Id:6A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.025ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):-10V; Tensione di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione di Po

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    SI4403CDY-T1-GE3
    SI4403CDY-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canale P, -13.4 A, -20 V, 0.0125 ohm, -4.5 V, -400 mV

    2056683

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canale P, -13.4 A, -20 V, 0.0125 ohm, -4.5 V, -400 mV

    MOSFET, CANALE P, DIODO, 20V, 13.4A, SO8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua di Drain Id:-13.4A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.0125ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):-4.5V; Tensione di Soglia Vgs:-400mV

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    5+ € 0,64 25+ € 0,582 100+ € 0,432 250+ € 0,394 500+ € 0,356 1000+ € 0,318 5000+ € 0,279 Altri prezzi...

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    SI4936CDY-T1-GE3
    SI4936CDY-T1-GE3 - MOSFET Duale, Canale N Doppio, 5.8 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V

    1779274

    VISHAY - MOSFET Duale, Canale N Doppio, 5.8 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V

    MOSFET, CH-NN, 30V, 5.8A, SO8; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua di Drain Id:5.8A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.033ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:3V; Dissipazione

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    5+ € 0,501 25+ € 0,475 100+ € 0,344 250+ € 0,313 500+ € 0,283 1000+ € 0,268 5000+ € 0,254 Altri prezzi...

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    SIA437DJ-T1-GE3
    SIA437DJ-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canale P, -29.7 A, -20 V, 0.012 ohm, -4.5 V, -400 mV

    2364068

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canale P, -29.7 A, -20 V, 0.012 ohm, -4.5 V, -400 mV

    MOSFET, CAN P 20V, 29.7A, POWERPAKSC70-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua di Drain Id:-29.7A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.012ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):-4.5V; Tensione di Soglia Vgs:-400mV;

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    5+ € 0,542 25+ € 0,502 100+ € 0,365 250+ € 0,333 500+ € 0,301 1000+ € 0,251 5000+ € 0,246 Altri prezzi...

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