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VISHAY  SIR880DP-T1-GE3  N CHANNEL MOSFET

VISHAY SIR880DP-T1-GE3
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Informazioni sui prodotti

Polarità Transistor:
N Channel
Corrente Continua di Drain Id:
60A
Tensione Drain Source Vds:
80V
Resistenza di Attivazione Rds(on):
0.0049ohm
Tensione Vgs di Misura Rds(on):
4.5V
Tensione di Soglia Vgs:
1.2V
Dissipazione di Potenza Pd:
6.25W
Modello Case Transistor:
PowerPAK SO
No. di Pin:
8Pin
Temperatura di Esercizio Max:
150°C
Gamma Prodotti:
-
Standard di Qualifica Automotive:
-
Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):
MSL 1 - Unlimited
Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):
To Be Advised

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Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
China

Paese in cui si è svolta l'ultima più significativa parte del processo produttivo

Tracciabilità del prodotto
Conforme alla direttiva RoHS:
Tariffa n.:
85412900
Peso (kg):
.000444

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