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VISHAY  SIHP33N60EF-GE3  MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-220AB-3

VISHAY SIHP33N60EF-GE3
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Informazioni sui prodotti

Polarità Transistor:
N Channel
Corrente Continua di Drain Id:
33A
Tensione Drain Source Vds:
600V
Resistenza di Attivazione Rds(on):
0.085ohm
Tensione Vgs di Misura Rds(on):
10V
Tensione di Soglia Vgs:
4V
Dissipazione di Potenza Pd:
278W
Modello Case Transistor:
TO-220AB
No. di Pin:
3Pin
Temperatura di Esercizio Max:
150°C
Gamma Prodotti:
-
Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):
-
Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):
To Be Advised

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Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
China

Paese in cui si è svolta l'ultima più significativa parte del processo produttivo

Conforme alla direttiva RoHS:
Tariffa n.:
85412900
Peso (kg):
.002703

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