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VISHAY  SIHB12N50E-GE3  MOSFET, N CHANNEL, 500V, 10.5A, TO-263-3

VISHAY SIHB12N50E-GE3
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Informazioni sui prodotti

Polarità Transistor:
N Channel
Corrente Continua di Drain Id:
10.5A
Tensione Drain Source Vds:
500V
Resistenza di Attivazione Rds(on):
0.33ohm
Tensione Vgs di Misura Rds(on):
10V
Tensione di Soglia Vgs:
4V
Dissipazione di Potenza Pd:
114W
Modello Case Transistor:
TO-263
No. di Pin:
3Pin
Temperatura di Esercizio Max:
150°C
Gamma Prodotti:
-
Standard di Qualifica Automotive:
-
Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):
MSL 1 - Unlimited
Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):
To Be Advised

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Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
China

Paese in cui si è svolta l'ultima più significativa parte del processo produttivo

Conforme alla direttiva RoHS:
Tariffa n.:
85412900
Peso (kg):
.001669

Alternative

Transistor MOSFET, Canale N, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON

Nastro pretagliato
945 A stock

Prezzo per: Unità, fornito su nastro tagliato

1+ € 2,01 25+ € 1,76 100+ € 1,41 500+ € 1,23 altro...

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