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VISHAY  SI7450DP-T1-GE3  N CHANNEL MOSFET

VISHAY SI7450DP-T1-GE3
Technical Data Sheet (307.54KB) EN Visualizza tutti i documenti tecnici

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Informazioni sui prodotti

Polarità Transistor:
N Channel
Corrente Continua di Drain Id:
3.2A
Tensione Drain Source Vds:
200V
Resistenza di Attivazione Rds(on):
0.065ohm
Tensione Vgs di Misura Rds(on):
10V
Tensione di Soglia Vgs:
4.5V
Dissipazione di Potenza Pd:
1.9W
Modello Case Transistor:
PowerPAK SO
No. di Pin:
8Pin
Temperatura di Esercizio Max:
150°C
Gamma Prodotti:
-
Standard di Qualifica Automotive:
-
Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):
MSL 1 - Unlimited
Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):
To Be Advised

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Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
China

Paese in cui si è svolta l'ultima più significativa parte del processo produttivo

Tracciabilità del prodotto
Conforme alla direttiva RoHS:
Tariffa n.:
85412900
Peso (kg):
.00028

Alternative

Transistor MOSFET, Canale N, 3.2 A, 200 V, 65 mohm, 10 V, 4.5 V

VISHAY

Nastro pretagliato
731 A stock

Prezzo per: Unità, fornito su nastro tagliato

1+ € 2,18 5+ € 2,07 10+ € 2,03 30+ € 1,74 altro...

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