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VISHAY  SI3460DDV-T1-GE3  MOSFET,N CHANNEL,D-S,20V,7.9A,TSOP6

VISHAY SI3460DDV-T1-GE3
Produttore
VISHAY VISHAY
Cod. produttore:
SI3460DDV-T1-GE3
Codice Prodotto
2395608
Datasheet tecnico:
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L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.

Informazioni sui prodotti

Polarità Transistor:
N Channel
Corrente Continua di Drain Id:
7.9A
Tensione Drain Source Vds:
20V
Resistenza di Attivazione Rds(on):
0.023ohm
Tensione Vgs di Misura Rds(on):
4.5V
Tensione di Soglia Vgs:
400mV
Dissipazione di Potenza Pd:
1.7W
Modello Case Transistor:
TSOP
No. di Pin:
6Pin
Temperatura di Esercizio Max:
150°C
Gamma Prodotti:
-
Standard di Qualifica Automotive:
-
Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):
MSL 1 - Unlimited
Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):
To Be Advised

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Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
China

Paese in cui si è svolta l'ultima più significativa parte del processo produttivo

Conforme alla direttiva RoHS:
Tariffa n.:
85412900
Peso (kg):
.000049

Alternative

Transistor MOSFET, Canale N, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV

VISHAY

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