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VISHAY  SI3460DDV-T1-GE3  MOSFET,N CHANNEL,D-S,20V,7.9A,TSOP6

VISHAY SI3460DDV-T1-GE3
Technical Data Sheet (718.48KB) EN Visualizza tutti i documenti tecnici

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Informazioni sui prodotti

Polarità Transistor:
N Channel
Corrente Continua di Drain Id:
7.9A
Tensione Drain Source Vds:
20V
Resistenza di Attivazione Rds(on):
0.023ohm
Tensione Vgs di Misura Rds(on):
4.5V
Tensione di Soglia Vgs:
400mV
Dissipazione di Potenza Pd:
1.7W
Modello Case Transistor:
TSOP
No. di Pin:
6Pin
Temperatura di Esercizio Max:
150°C
Gamma Prodotti:
-
Standard di Qualifica Automotive:
-
Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):
MSL 1 - Unlimited
Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):
To Be Advised

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Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
China

Paese in cui si è svolta l'ultima più significativa parte del processo produttivo

Tracciabilità del prodotto
Conforme alla direttiva RoHS:
Tariffa n.:
85412900
Peso (kg):
.000049

Alternative

Transistor MOSFET, Canale N, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV

VISHAY

Nastro pretagliato
686 A stock

Prezzo per: Unità, fornito su nastro tagliato

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