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VISHAY  SI2301BDS-T1-E3  P CHANNEL MOSFET, FULL REEL

VISHAY SI2301BDS-T1-E3
Technical Data Sheet (207.69KB) EN Visualizza tutti i documenti tecnici

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Informazioni sui prodotti

Polarità Transistor:
P Channel
Corrente Continua di Drain Id:
-2.4A
Tensione Drain Source Vds:
-20V
Resistenza di Attivazione Rds(on):
0.1ohm
Tensione Vgs di Misura Rds(on):
-4.5V
Tensione di Soglia Vgs:
-950mV
Dissipazione di Potenza Pd:
900mW
Modello Case Transistor:
SOT-23
No. di Pin:
3Pin
Temperatura di Esercizio Max:
150°C
Gamma Prodotti:
-
Standard di Qualifica Automotive:
-
Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):
MSL 1 - Unlimited
Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):
To Be Advised

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Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
China

Paese in cui si è svolta l'ultima più significativa parte del processo produttivo

Tracciabilità del prodotto
Conforme alla direttiva RoHS:
Tariffa n.:
85412100
Peso (kg):
.000042

Alternative

P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.1A TO-236, FULL REEL

VISHAY

6.000:  A stock

Prezzo per: Unità, fornito in bobina completa

3000+ € 0,116 6000+ € 0,111 12000+ € 0,11

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