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VISHAY  SI1026X-T1-GE3.  MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.305A, SC-89-6

VISHAY SI1026X-T1-GE3.
Technical Data Sheet (139.45KB) EN Visualizza tutti i documenti tecnici

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Informazioni sui prodotti

Polarità Transistor:
N Channel
Corrente Continua di Drain Id:
305mA
Tensione Drain Source Vds:
60V
Resistenza di Attivazione Rds(on):
1.4ohm
Tensione Vgs di Misura Rds(on):
1.4V
Tensione di Soglia Vgs:
2.5V
Dissipazione di Potenza Pd:
250mW
Modello Case Transistor:
SC-89
No. di Pin:
6Pin
Temperatura di Esercizio Max:
150°C
Gamma Prodotti:
-
Standard di Qualifica Automotive:
-
Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):
MSL 1 - Unlimited
Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):
To Be Advised

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Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
China

Paese in cui si è svolta l'ultima più significativa parte del processo produttivo

Conforme alla direttiva RoHS:
Tariffa n.:
85412100
Peso (kg):
.000031

Alternative

MOSFET Duale, Canale N Doppio, 340 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.6 V

NXP

Nastro pretagliato
2.679 A stock

Prezzo per: Unità, fornito su nastro tagliato

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