ON SEMICONDUCTOR  NTHS5404T1G  Transistor MOSFET, Canale N, 5.2 A, 20 V, 25 mohm, 4.5 V, 600 mV

ON SEMICONDUCTOR NTHS5404T1G

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  • Corrente Continua di Drain Id: 5.2A
  • Dissipazione di Potenza Pd: 1.3W
  • Tensione Drain Source Vds: 20V
  • Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL): MSL 1 - Non Limitata
  • Modello Case Transistor: ChipFET
  • No. di Pin: 8
  • Resistenza di Attivazione Rds(on): 0.025ohm
  • Temperatura di Esercizio Max: 150°C
  • Polarità Transistor: Canale N
  • Tensione Vgs di Misura Rds(on): 4.5V
  • Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC): No SVHC (15-Jun-2015)
  • Tensione di Soglia Vgs: 600mV

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Legislazione e ambiente


  • Paese d'origine: United States

    Paese in cui si è svolta l'ultima più significativa parte del processo produttivo

  • Conforme alla direttiva RoHS:
      Certificato di conformità RoHS
  • Tariffa n.: 85412900
  • Peso (kg): .0001
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