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ON SEMICONDUCTOR  MMSD301T1G  Diodo RF Schottky, Barriera, Singolo, 30 V, 200 mA, 600 mV, 0.9 pF, SOD-123

ON SEMICONDUCTOR MMSD301T1G
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Panoramica del prodotto

The MMSD301T1G is a Schottky Barrier Diode designed for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily available to many other fast switching RF and digital applications.
  • Extremely low minority carrier lifetime
  • Very low capacitance
  • Low reverse leakage
  • -55 to 125°C Operating junction temperature range

Informazioni sui prodotti

Configurazione Diodo:
Singolo
Tensione Inversa Vr:
30V
Corrente Diretta If Max:
200mA
Tensione Diretta VF Max:
600mV
Capacità Ct:
0.9pF
Modello Involucro Diodo:
SOD-123
Numero di Pin:
2 Pin
Imballaggio:
Nastro Tagliato
Gamma Prodotti:
MMSD3 Series
No. di Pin:
2
Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)

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Applicazioni

  • Comunicazioni RF;
  • Rilevamento & Strumentazione;
  • Industriale

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
China

Paese in cui si è svolta l'ultima più significativa parte del processo produttivo

Conforme alla direttiva RoHS:
Tariffa n.:
85411000
Peso (kg):
.001

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