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NXP  PSMN9R0-30LL  Transistor MOSFET, Canale N, 21 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 1.7 V

NXP PSMN9R0-30LL
Technical Data Sheet (1.66MB) EN Visualizza tutti i documenti tecnici

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Informazioni sui prodotti

Polarità Transistor:
Canale N
Corrente Continua di Drain Id:
21A
Tensione Drain Source Vds:
30V
Resistenza di Attivazione Rds(on):
0.008ohm
Tensione Vgs di Misura Rds(on):
10V
Tensione di Soglia Vgs:
1.7V
Dissipazione di Potenza Pd:
50W
Modello Case Transistor:
QFN
No. di Pin:
8Pin
Temperatura di Esercizio Max:
150°C
Gamma Prodotti:
-
Standard di Qualifica Automotive:
-
Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):
MSL 1 - Non Limitata
Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)

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Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Thailand

Paese in cui si è svolta l'ultima più significativa parte del processo produttivo

Conforme alla direttiva RoHS:
Tariffa n.:
85412900
Peso (kg):
.000026