Low

NXP  PSMN7R0-60YS  Transistor MOSFET, Canale N, 89 A, 60 V, 4.95 mohm, 10 V, 3 V

NXP PSMN7R0-60YS
Technical Data Sheet (238.24KB) EN Visualizza tutti i documenti tecnici

L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.

Panoramica del prodotto

The PSMN7R0-60YS is a N-channel standard level MOSFET with advanced TrenchMOS technology provides low RDS (ON) and low gate charge. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC convertor, lithium-ion battery protection, load switching, server power supplies and domestic equipment applications.
  • Improved mechanical and thermal characteristics
  • High efficiency gains in switching power converters
  • LFPAK provides maximum power density in a power SO8 package
  • -55 to 175°C Junction temperature range

Informazioni sui prodotti

Polarità Transistor:
Canale N
Corrente Continua di Drain Id:
89A
Tensione Drain Source Vds:
60V
Resistenza di Attivazione Rds(on):
0.00495ohm
Tensione Vgs di Misura Rds(on):
10V
Tensione di Soglia Vgs:
3V
Dissipazione di Potenza Pd:
117W
Modello Case Transistor:
SOT-669
No. di Pin:
4Pin
Temperatura di Esercizio Max:
175°C
Gamma Prodotti:
-
Standard di Qualifica Automotive:
-
Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):
MSL 1 - Non Limitata
Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)

Trova prodotti simili  raggruppati per attributi comuni

Applicazioni

  • Gestione Alimentazione;
  • Comunicazioni e Reti;
  • Elettronica di Consumo;
  • Controllo e Azionamento Motori;
  • Industriale

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Philippines

Paese in cui si è svolta l'ultima più significativa parte del processo produttivo

Conforme alla direttiva RoHS:
Y-Ex
Tariffa n.:
85412900
Peso (kg):
.000181

Alternative

MOSFET, N CHANNEL, 60V, 89A, 4-SOT-669

NXP

2.848:  A stock

Prezzo per: Unità, fornito su nastro tagliato

1+ € 1,16 10+ € 1,02 25+ € 0,93 100+ € 0,81 altro...

Acquista