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NXP  PSMN4R3-30PL  Transistor MOSFET, Canale N, 100 A, 30 V, 3.5 mohm, 10 V, 1.7 V

NXP PSMN4R3-30PL
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Panoramica del prodotto

The PSMN4R3-30PL is a N-channel MOSFET suitable for logic level gate drive sources. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC converters, load switching, server power supplies and domestic equipment applications.
  • High efficiency due to low switching and conduction losses
  • -55 to 175°C Junction temperature range

Informazioni sui prodotti

Polarità Transistor:
Canale N
Corrente Continua di Drain Id:
100A
Tensione Drain Source Vds:
30V
Resistenza di Attivazione Rds(on):
0.0035ohm
Tensione Vgs di Misura Rds(on):
10V
Tensione di Soglia Vgs:
1.7V
Dissipazione di Potenza Pd:
103W
Modello Case Transistor:
TO-220AB
No. di Pin:
3Pin
Temperatura di Esercizio Max:
175°C
Gamma Prodotti:
-
Standard di Qualifica Automotive:
-
Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):
-
Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)

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Applicazioni

  • Gestione Alimentazione;
  • Comunicazioni e Reti;
  • Elettronica di Consumo;
  • Controllo e Azionamento Motori;
  • Industriale

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Philippines

Paese in cui si è svolta l'ultima più significativa parte del processo produttivo

Conforme alla direttiva RoHS:
Tariffa n.:
85412900
Peso (kg):
.002776