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NXP  BSH105,215  N CHANNEL, DMOS FET, 20V, 1.05A, 3-SOT-23, FULL REEL

NXP BSH105,215
Technical Data Sheet (110.46KB) EN Visualizza tutti i documenti tecnici

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Informazioni sui prodotti

Polarità Transistor:
N Channel
Corrente Continua di Drain Id:
1.05A
Tensione Drain Source Vds:
20V
Resistenza di Attivazione Rds(on):
0.14ohm
Tensione Vgs di Misura Rds(on):
4.5V
Tensione di Soglia Vgs:
570mV
Dissipazione di Potenza Pd:
417mW
Modello Case Transistor:
SOT-23
No. di Pin:
3Pin
Temperatura di Esercizio Max:
150°C
Gamma Prodotti:
-
Standard di Qualifica Automotive:
-
Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):
MSL 1 - Unlimited
Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)

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Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
China

Paese in cui si è svolta l'ultima più significativa parte del processo produttivo

Tracciabilità del prodotto
Conforme alla direttiva RoHS:
Tariffa n.:
85412100
Peso (kg):
.000041

Alternative

N CHANNEL, DMOS FET, 20V, 1.05A, 3-SOT-23

NXP

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Prezzo per: Unità, fornito su nastro tagliato

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