2014/07/25

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1845633

NXP
PSMN017-60YS

MOSFET, N CH, 60V, 44A, LFPAK

Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:44A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza di Attivazione Rds(on):12.3mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V;

Manufacturer Catalogue (1.66MB) EN Technical Data Sheet (241.93KB) EN
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1845636

NXP
PSMN039-100YS

MOSFET, N CH, 100V, 28.1A, LFPAK

Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:28.1A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza di Attivazione Rds(on):30.8mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V;

Manufacturer Catalogue (1.66MB) EN Technical Data Sheet (236.25KB) EN
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1845637

NXP
PSMN1R6-30PL

MOSFET, N CH, 30V, 100A, TO-220AB

Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza di Attivazione Rds(on):1.4mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V;

Manufacturer Catalogue (1.66MB) EN Technical Data Sheet (225.35KB) EN
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1845641

NXP
PSMN4R3-30PL

MOSFET, N CH, 30V, 100A, TO-220AB

Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza di Attivazione Rds(on):3.5mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V;

Manufacturer Catalogue (1.66MB) EN Technical Data Sheet (215.44KB) EN
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1845643

NXP
PSMN015-60PS

MOSFET, N CH, 60V, 50A, TO-220AB

Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza di Attivazione Rds(on):12.6mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V;

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1845656

NXP
PSMN5R8-40YS

MOSFET, N CH, 40V, 90A, LFPAK

Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:90A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza di Attivazione Rds(on):4.4mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V;

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1845658

NXP
PSMN030-60YS

MOSFET, N CH, 60V, 29A, LFPAK

Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:29A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza di Attivazione Rds(on):19.1mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V;

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1845662

NXP
PSMN069-100YS

MOSFET, N CH, 100V, 17A, LFPAK

Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:17A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza di Attivazione Rds(on):56.6mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V;

Manufacturer Catalogue (1.66MB) EN Technical Data Sheet (223.67KB) EN
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